prikaz prve stranice dokumenta Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
No public access
master's thesis
Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2023. urn:nbn:hr:168:916360
Golušin, Leonardo Max
University of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing

Institutional repository: FER Repository

Cite this document

Golušin, L. M. (2023). Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja (Master's thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, L. M. (2023). 'Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja', Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, accessed 26 December 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin LM. Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja [Master's thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing; 2023 [cited 2024 December 26] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

L. M. Golušin, "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja", Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Zagreb, 2023. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Metadata
TitleDizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
Title (english)Design of a class AB microwave amplifier using a AlGaN heterojunction field effect transistor
AuthorLeonardo Max Golušin
MentorDubravko Babić (mentor)
Committee memberDubravko Babić (predsjednik povjerenstva)
Committee memberJosip Lončar (član povjerenstva)
Committee memberTomislav Suligoj (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing
Zagreb
Defense date and country2023-07-03, Croatia
Abstract
U radu je opisan postupak dizajniranja i verificiranja visokofrekvencijskog pojačala snage klase AB baziranog na HEMT tranzistoru CGHV1F006S. Za potrebe dizajniranja prilagodne mreže korišten je load-pull sustav uz razvijenu C# aplikaciju kako bi se odredila optimalna izlazna impedancija za maksimalno pojačanje. Prilikom dizajniranja prilagodbe bilo je potrebno paziti na udaljenosti između prijenosnih linija, kako ne bi došlo do pojave pozitivne povratne veze i osciliranja. Dizajnirano je pojačalo maksimalne ukupne učinkovitosti od 35% koja je veća od one prikazane u tehničkim specifikacijama tranzistora. Za bolju efikasnost potrebni su bolji uređaji od onih dostupnih.
Abstract (english)
In this work, a method of designing and verifying radiofrequency class AB amplifier based on HEMT transistor CGHV1F006S is described. A load-pull system with custom developed C# application was used to design the matching network for maximum gain. While designing the matching network, it was neccessary to be careful of the distances between the transmission lines so as to not have a positive feedback loop and oscillations. The designed amplifier had a maximum total efficiency of 35% which is larger than the one shown in hte transistor specifications. For better efficiency, better devices than the ones available are neccessary.
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:168:916360
Study programmeTitle: Information and Communication Technology
Study programme type: university
Study level: graduate
Academic / professional title: magistar/magistra inženjer/inženjerka informacijske i komunikacijske tehnologije (magistar/magistra inženjer/inženjerka informacijske i komunikacijske tehnologije)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsClosed access
Terms of useLicence In copyright icon
Public note
Created on2023-10-11 08:54:55