prikaz prve stranice dokumenta Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona
No public access
master's thesis
Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2016. urn:nbn:hr:168:876278
Osrečki, Željko
University of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing

Institutional repository: FER Repository

Cite this document

Osrečki, Ž. (2016). Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona (Master's thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:876278

Osrečki, Željko. "Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2016. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:876278

Osrečki, Željko. "Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2016. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:876278

Osrečki, Ž. (2016). 'Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona', Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, accessed 26 December 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:876278

Osrečki Ž. Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona [Master's thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing; 2016 [cited 2024 December 26] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:876278

Ž. Osrečki, "Nizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona", Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Zagreb, 2016. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:876278

Metadata
TitleNizovi fotodioda s lavinskom multiplikacijom za detekciju jednog fotona
Title (english)Single Photon Avalanche Photodiodes Arrays
AuthorŽeljko Osrečki
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Committee memberTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Committee memberMarko Koričić (član povjerenstva)
Committee memberMirko Poljak (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing
Zagreb
Defense date and country2016-07-08, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		TECHNICAL SCIENCES
Electrical Engineering
Abstract
U radu je simulacijom ispitano optičko i električko preslušavanje u SPAD nizovima. Uzrok optičkog preslušavanja, zračenje lavinske multiplikacije prilikom detekcije fotona, negativno utječe na susjedne elemente niza povećavajući ukupan broj lažnih detekcija. Definiran je niz od 4 diode, gdje se promatra utjecaj zračenja lavinske multiplikacije diode na ostale elemente niza. Dominantan efekt preslušavanja je svijetlost reflektirana od podloge. Pokazano je da difuzija slobodnih nosilaca u podlozi ima znatan utjecaj samo za debljine podloge manje od 100 µm. Visoko-dopirani sloj u podlozi više apsorbira svijetlost i smanjuje optičko preslušavanje ali, zbog veće generacije, difuzija nosilaca postaje dominantna. Povećanjem dopinga ukopanog sloja SPAD-a, može se znatno smanjiti ukupno preslušavanje bez dodatnih tehnoloških koraka.
Abstract (english)
In this thesis, optical and electrical crosstalk in SPAD array is simulated with the aid of numerical simulator. The avalanche light emission, which is the main cause of the crosstalk, affects the neighboring elements of the array thereby increasing the number of false detections. An array consisting of 4 elements is designed where the impact of an avalanche of the first diode is simulated. A dominant effect contributing to crosstalk is light reflected from the bottom of the substrate. It is shown that minority carrier diffusion becomes important for substrate thickness lower than 100 µm. Highly-doped layer on the bottom of the substrate diminishes optical crosstalk but can lead to an increase of the diffusion current in the substrate. By increasing the doping of the diode’s buried layer, optical and electrical crosstalk can be greatly decreased.
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:168:876278
Study programmeTitle: Electrical Engineering and Information Technology
Study programme type: university
Study level: graduate
Academic / professional title: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsClosed access
Terms of useLicence In copyright icon
Public note
Created on2018-02-06 11:01:07