prikaz prve stranice dokumenta Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva
No public access
master's thesis
Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. urn:nbn:hr:168:396516
Horvat, David
University of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing

Institutional repository: FER Repository

Cite this document

Horvat, D. (2017). Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva (Master's thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:396516

Horvat, David. "Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:396516

Horvat, David. "Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:396516

Horvat, D. (2017). 'Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva', Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, accessed 27 December 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:396516

Horvat D. Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva [Master's thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing; 2017 [cited 2024 December 27] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:396516

D. Horvat, "Model aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva", Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Zagreb, 2017. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:396516

Metadata
TitleModel aktivnog diodno pritegnutog trorazinskog izmjenjivača za simulaciju komutacija i kratkih spojeva
Title (english)Model of three level active diode clamped inverter for simulation of commutations and short-circuit failures
AuthorDavid Horvat
MentorViktor Šunde (mentor)
Committee memberViktor Šunde (predsjednik povjerenstva)
Committee memberŽeljko Jakopović (član povjerenstva)
Committee memberJadranko Matuško (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing
Zagreb
Defense date and country2017-07-13, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		TECHNICAL SCIENCES
Electrical Engineering
Abstract
U uvodnom dijelu rada dan je pregled topologija trorazinskih izmjenjivača te njihove prednosti i mane. Za daljnju analizu izabran je ANPC trorazinski izmjenjivač čija topologija je razvijena u svrhu bolje raspodjele gubitaka na sklopkama. Postoji više vrsta modulacija za upravljanje sklopkama koje su simulirane u programu Plecs. Nakon provedenih simulacija grafički je prikazana raspodjela gubitaka po sklopkama za svaku modulaciju i zaključeno da PWM3 modulacija ima najravnomjerniju raspodjelu. Nakon analize jedne grane ANPC izmjenjivača sa stanovišta raspodjele gubitaka, promatrana su kvarna stanja praznog hoda i kratkog spoja na jednoj grani ANPC-a. U Plecs-u je napravljen model za simulaciju i ispitivanje kvarnih stanja na pojedinim sklopkama. Za detekciju i zaštitu IGBT-a od prekostruja i prenapona dan je pregled nekoliko različitih metoda. Simulacija zaštite od prenapona napravljena je pomoću modela također napravljenog u Plecs-u. Da bi se IGBT moduli u izmjenjivačima mogli upravljati i zaštititi od kvarnih stanja potrebni su pobudni sklopovi. U posebnom poglavlju opisan je rad pobudnih sklopova s ugrađenim zaštitama od kratkog spoja. Po uzoru na zaštite ugrađene u komercijale pobudne sklopove napravljena je simulacija detekcije i zaštite IGBT-a od kratkog spoja u programu Pspice.
Abstract (english)
Advantages and disadvantages of different three level inverter topologies are shown in the beginning of this paperwork. Three level ANPC inverter was chosen for further analysis because better and equal loss distribution on switching devices. There are different PWM modulation strategies for three level ANPC inverter and they are simulated in Plecs. Simulation results shown that PWM3 and PWM3-mod1 modulation strategies have the most evenly losses distribution on switching devices which can be seen on graphical diagram. After loss distribution analysis, device open-failure and short-circuit failure are investigated on the three level ANPC inverter topology. Simulation model for three level single phase ANPC inverter device failures is designed in Plecs. Few methods for overvoltage and overcurrent detection and protection are described after device failure chapter. Overvoltage protection is also simulated in Plecs. IGBT modules must be driven by hybrid IGBT drivers with short circuit protection. The special chapter describes the operation of IGBT drivers with built-in short-circuit protection. Simulation model for short-circuit detection and protection was designed in Pspice.
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:168:396516
Study programmeTitle: Electrical Engineering and Information Technology
Study programme type: university
Study level: graduate
Academic / professional title: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsClosed access
Terms of useLicence In copyright icon
Public note
Created on2019-03-13 20:50:17