prikaz prve stranice dokumenta Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva
Access restricted to students and staff of home institution
master's thesis
Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva
Rijeka: University of Rijeka, 2018. urn:nbn:hr:194:351246
Veličan, Karlo
University of Rijeka
Faculty of Physics

Institutional repository: Repository of the University of Rijeka, Faculty of Physics

Cite this document

Veličan, K. (2018). Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva (Master's thesis). Rijeka: University of Rijeka. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan, Karlo. "Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva." Master's thesis, University of Rijeka, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan, Karlo. "Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva." Master's thesis, University of Rijeka, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan, K. (2018). 'Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva', Master's thesis, University of Rijeka, accessed 28 March 2025, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan K. Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva [Master's thesis]. Rijeka: University of Rijeka; 2018 [cited 2025 March 28] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

K. Veličan, "Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva", Master's thesis, University of Rijeka, Rijeka, 2018. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Metadata
TitleMjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva
Title (english)Electronic transport measurements on zinc oxide thin films synthesized by atomic layer deposition
AuthorKarlo Veličan
MentorAleš Omerzu (mentor)
Committee memberMladen Petravić (predsjednik povjerenstva)
Committee memberRobert Peter (član povjerenstva)
Committee memberAleš Omerzu (član povjerenstva)
GranterUniversity of Rijeka
(Faculty of Physics)
Rijeka
Defense date and country2018-06-18, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		NATURAL SCIENCES
Physics
Abstract
Ovim diplomskim radom predstavljena je razlika električnih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida (ZnO) sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva (ALD) pri temperaturama sinteze od 100 ℃ i 200 ℃. Poprečni presjeci i morfologije tankih filmova snimljeni su pretražnim elektronskim mikroskopom. Morfologije tankih filmova su uspoređene s rezultatima mjerenja električne otpornosti. Izmjerene strujno naponske karakteristike, iz kojih su izračunate specifične električne... More otpornosti, pokazale su da specifične električne otpornosti uvelike ovise o temperaturi korištenoj pri ALD sintezi tankih filmova. Izmjerene su vrijednosti (5,8±0,6)∙102 Ωcm za tanki film sintetiziran na 100 ℃ i (3,6±0,4)∙10−2 Ωcm za tanki film sintetiziran na 200 ℃. Tanki film sintetiziran na 200 ℃ je pokazao anomalnu ovisnost otpora kao funkcije vremena, gdje je otpor ovisio o prijašnjem toku struje kroz tanki film. Vjerojatan uzrok takvom anomalnom efektu je sama struktura tankih filmova. Naime, smjer narastanja tankih filmova ima izraženo usmjerenje okomito na površinu supstrata, te takva konfiguracija stvara veliku koncentraciju granica zrna okomito na tok struje. Također, mjerena je i ovisnost električne otpornosti uzoraka o izloženosti uzoraka svjetlosti. Izmjerena su karakteristična vremena saturacije fotostruje, te pokazana ovisnost električnog otpora tankih filmova o UV djelu spektra svjetlosti. Izmjerena karakteristična vremena pobuđenja i relaksacije elektrona odgovaraju dvama procesima od kojih je jedan sporiji, a drugi brži - razlikuju se oko 3 puta za film sintetiziran pri 100 ℃ i oko 36 puta za film sintetiziran pri 200 ℃. Less
Abstract (english)
In this work I show differences in electric transport properties of zinc oxide (ZnO) thin films deposited by atomic layer deposition (ALD) at two different temperatures. The films were deposited at 100 ℃ and 200 ℃. Morphologies and cross sections of the films were obtained with a scanning electron microscope (SEM). The thin film morphologies were correlated with the electrical transport properties. The electrical resistivity of ZnO thin films depends strongly on the ALD growth... More temperature. The measured values for electrical resistivity are (5,8±0,6)∙102 Ωcm, for thin films grown at 100 ℃, and (3,6±0,4)∙10−2 Ωcm, for thin films grown at 200 ℃. The resistivities were determined from current voltage characteristics. The thin films grown at 200 ℃ showed an anomalous time dependence of the electrical resistance where the resistance was changing in time, depending on the previous current flow. A probable cause for such behavior lies in structural characteristics of the ZnO thin films - the ALD growth of thin films prefers a uniaxial direction, which creates grain boundaries perpendicular to the current flow. A dependence of the electrical resistivity on an ambient illumination is also presented. From measurements of photocurrent as a function of time, we could extract characteristic excitation and relaxation times of photo created electrons. The characteristic times correspond to two processes, one slower and other faster. The slow and the fast processes differ approximately 3 times for the thin films grown at 100 ℃ and 36 times for the thin films grown at 200 ℃. Less
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:194:351246
Study programmeTitle: physics
Study programme type: university
Study level: graduate
Academic / professional title: magistar/magistra fizike (magistar/magistra fizike)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsAccess restricted to students and staff of home institution
Terms of useLicence In copyright icon
Created on2018-09-11 07:17:20
accessibility

closeAccessibilityrefresh

If you wish to permanently save changes, click on Save, if not - your settings will be reset when you restart the browser.