prikaz prve stranice dokumenta Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu
  Download
PDF 5.85 MB
master's thesis
Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Science, 2023. urn:nbn:hr:217:855372
Barišić, Lovro Anto
University of Zagreb
Faculty of Science
Department of Physics

Institutional repository: Repository of the Faculty of Science

Cite this document

Barišić, L. A. (2023). Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu (Master's thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Science. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:855372

Barišić, Lovro Anto. "Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:855372

Barišić, Lovro Anto. "Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:855372

Barišić, L. A. (2023). 'Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu', Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, accessed 18 November 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:855372

Barišić LA. Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu [Master's thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Science; 2023 [cited 2024 November 18] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:855372

L. A. Barišić, "Perturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu", Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, Zagreb, 2023. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:855372

Metadata
TitlePerturbacijska G\Delta W metoda: Primjena na izračun vrpčaste strukture u hBN/grafen kompozitu
Title (english)Many body G \Delta W approch: Application to the calculation of the band structure in hBN /graphene composite
AuthorLovro Anto Barišić
MentorVito Despoja (mentor)
MentorIvan Kupčić (komentor)
Committee memberIvan Kupčić (predsjednik povjerenstva)
Committee memberVito Despoja (član povjerenstva)
Committee memberMario Novak (član povjerenstva)
Committee memberIvan Kokanović (član povjerenstva)
Committee memberZoran Rukelj (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Science
(Department of Physics)
Zagreb
Defense date and country2023-09-29, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		NATURAL SCIENCES
Physics
Abstract
Razumjevanje kvazičestičnih svojstva elektrona u 2D poluvodičkih materijalima u raznim okruženjima (poput drugih 2D materijali ili dielektričnih površina) važna je za njihovu moguću primjenu u izradi elektronskih sklopova kao što su foto-diode, laseri, tranzistori i drugi logički sklopovi. U ovom radu proučavamo kako prisutnost dopiranog grafena utječe na kvazičestična svojstva 2D kristala WS2, MoS2 i heksagonalnog borovog-nitrida (hBN) koji se intenzivno istražuju u zadnjih par godina. Koristeći DFT valne funkcije materijala kao podlogu za G0ΔW teoriju, dolazimo do modifikacije spektralne funkcije elektrona u spomenutim 2D kristalima zbog prisustva grafena koji se nalazi na 3 angstrema od njih. Proučavanjem spektralne funkcije elektrona u raznim točkama Brilliounove zone dolazimo do pomaka poluvodičkog procjepa koji uspoređujemo s drugim rezultatima iz literature te pokazujemo da energetski pomak vrpci u svim točkama Brilliunove zone nije rigidan. Na temelju razmatranja vlastite energije točkastog naboja u ovisi o njegovom položaju u 2D poluvodičima (MoS2, WS2 i hBN) pokazujemo da elektroski odziv u TMD-ovima (zarazliku od hBN-a) vrlo efikasno zasjenjuje utjecaj substrata i time štiti svoju vrpčastu strukturu od utjecaja substrata.
Abstract (english)
Understanding the quasiparticle properties of electrons in 2D semiconductor materials in various environments (such as other 2D materials or dielectric surfaces) is important for their possible application in the production of electronic circuits such as photo-diodes, lasers, transistors and other logic circuits. In this paper, we study how the presence of doped graphene affects the quasiparticle properties of 2D crystals WS2, MoS2 and hexagonal boron nitride (hBN), materials that have been intensively researched in the last few years. Using the DFT wave function of the material as a basis for the G0ΔW theory, we arrive at a modification of the electron spectral function in the mentioned 2D crystals due to the presence of graphene which is located 3 angstroms away from them. By studying the spectral function of electrons in various points of the Brilliou zone, we arrive at the shift of the semiconductor gap, which we compare with other results from the literature and show that the energy shift of the bands in all points of the Brilliou zone is not rigid. Based on the consideration of the self-energy of a point charge in depends on its position in 2D semiconductors (MoS2, WS2 and hBN), we show that the electrical response in TMDs (a strain of hBN) very effectively overshadows the influence of the substrate and thus protects its ribbon structure from the impact of the substrate.
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:217:855372
Study programmeTitle: The University Integrated Undergraduate and Graduate Programme in Physics; Research Physics; specializations in: Research Physics
Course: Research Physics
Study programme type: university
Study level: integrated undergraduate and graduate
Academic / professional title: sveučilišni magistar fizike (sveučilišni magistar fizike)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsOpen access
Terms of useLicence In copyright icon
Created on2024-02-05 13:37:02