Sagledavajući izazove napretka tehnologije izvjesno je da je silicijska tehnologija na zalasku svojih mogućnosti te da će u bliskoj budućnosti biti potrebno razviti nove materijale koji će svojim svojstvima kvalitetno odgovoriti na potrebe za daljnjim razvojem tehnologije. Riješenja mnogih izazova nudi grafen, koji predvodi čitavu klasu slojevitih 2D materijala. Unatoč nizu prednosti, zbog velike mane grafena u obliku nedostataka procjepa između vodljive i valentne vrpce, daljnja intenzivna istraživanja usmjerena su prema 2D materijalima koji u intrinzičnom obliku, ili u međusobnim kombinacijama slojeva posjeduju poluvodički procjep pogodan za tehnologiju u elektroničkim i sličnim uređajima. Jedni od prvih kandidata u tom smislu su MoS2 i WS2, koji su zbog dobivenih rezultata mobilnosti μ = 200cm2V -1s -1 i omjera struja paljenja/gašenja Ion / Ioff > 108 vrlo obećavajući. U ovome radu osmišljen je sistem izrade tranzistora na jednoslojnim strukturama MoS2 koristeći sjenaste maskirne folije obradene kratkim laserskim impulsima na mikro-skali. Takvim pristupom se izbjegava upotreba raznih polimera i kemikalija koji se u tradicionalnim poluvodičkim tehnologijama sustavno koriste za izradu tranzistora pomoću optičke ili elektronske litografije. U sklopu rada napravljena je aparatura koja omogućuje transportna mjerenja na mikro-skali, ali prva mjerenja do sada sintetiziranih struktura MoS2 ukazuju na pojave proboja naboja prije postizanja struje paljenja, zbog disipacije struje u sloj dielektrika koji je oslabio prilikom sinteze MoS2. U radu je korišten i skeniraju ći tuneliraju ći mikroskop sa 4 kontaktna vrška koji omogućuju mjerenja na nano-skali. Izmjerena je vodljivost gornjeg sloja sintetiziranih struktura MoS2 σ ≈ 10 -5 S/m2. Varirajući parametar međusobne udaljenosti vrškova pokazana je očekivana 2D vodljivost. Mjerenja na ovom uredaju dodatno su omogućila uočavanje pukotina u MoS2 slojevima na mikro-skali, koje su vjerojatno nastale uslijed brzog hlađenja uzoraka nakon sinteze.