prikaz prve stranice dokumenta Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
No public access
master's thesis
Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. urn:nbn:hr:168:762812
Hormot, Filip
University of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing

Institutional repository: FER Repository

Cite this document

Hormot, F. (2017). Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS (Master's thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot, Filip. "Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot, Filip. "Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS." Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot, F. (2017). 'Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS', Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, accessed 06 November 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot F. Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS [Master's thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing; 2017 [cited 2024 November 06] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

F. Hormot, "Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS", Master's thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Zagreb, 2017. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Metadata
TitleSklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
Title (english)Circuit analysis of an integrated galvanically isolated gate driver circuit designed in 0.18-um high-voltage CMOS technology
AuthorFilip Hormot
MentorAdrijan Barić (mentor)
Committee memberAdrijan Barić (predsjednik povjerenstva)
Committee memberIgor Krois (član povjerenstva)
Committee memberMarko Koričić (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing
Zagreb
Defense date and country2017-07-12, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		TECHNICAL SCIENCES
Electrical Engineering
Abstract
Prekapčanje tranzistora velikih snaga dovodi do stvaranja neželjenih elektromagnetskih smetnji. Galvanski izolirani upravljački krug je osmišljen i analiziran. Upravljački signal (PWM) moduliran je RF signalom i odašiljan na izlaz putem elektromagnetskog sprežnika koji galvanski odvaja izlaz od ulaza sklopa. Na izlazu sklopa RF signal je ispravljen te je rekonstruiran PWM signal. Sklopovska analiza upravljačkog sklopa je izvršena. Funkcionalnost sklopa, naponske i vremenske karakteristike su prikazane.
Abstract (english)
Switching in high-power transistors leads to unwanted electromagnetic (EM) interference. A galvanically isolated gate driver circuit with the drive-by-microwave technology is developed and analysed. A driving signal (PWM) is modulated with a RF signal and transmitted via an EM butterfly coupler which galvanivally isolates the output from the device input. At the device output, the RF signal is rectified and the PWM signal is reconstructed. The circuit analysis of the system is performed. The functionality of device stages, voltage and timing characteristics are presented.
Keywords
Keywords (english)
Languageenglish
URN:NBNurn:nbn:hr:168:762812
Study programmeTitle: Electrical Engineering and Information Technology
Study programme type: university
Study level: graduate
Academic / professional title: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsClosed access
Terms of useLicence In copyright icon
Public note
Created on2019-03-13 20:49:47