prikaz prve stranice dokumenta Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
Rad nije dostupan
diplomski rad
Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. urn:nbn:hr:168:762812
Hormot, Filip
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Hormot, F. (2017). Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot, Filip. "Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot, Filip. "Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot, F. (2017). 'Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 29.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Hormot F. Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2017 [pristupljeno 29.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

F. Hormot, "Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2017. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:762812
Podaci o radu
NaslovSklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
Naslov (engleski)Circuit analysis of an integrated galvanically isolated gate driver circuit designed in 0.18-um high-voltage CMOS technology
AutorFilip Hormot
MentorAdrijan Barić (mentor)
Član povjerenstvaAdrijan Barić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaIgor Krois (član povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2017-07-12, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Prekapčanje tranzistora velikih snaga dovodi do stvaranja neželjenih elektromagnetskih smetnji. Galvanski izolirani upravljački krug je osmišljen i analiziran. Upravljački signal (PWM) moduliran je RF signalom i odašiljan na izlaz putem elektromagnetskog sprežnika koji galvanski odvaja izlaz od ulaza sklopa. Na izlazu sklopa RF signal je ispravljen te je rekonstruiran PWM signal. Sklopovska analiza upravljačkog sklopa je izvršena. Funkcionalnost sklopa, naponske i vremenske karakteristike su prikazane.
Sažetak (engleski)
Switching in high-power transistors leads to unwanted electromagnetic (EM) interference. A galvanically isolated gate driver circuit with the drive-by-microwave technology is developed and analysed. A driving signal (PWM) is modulated with a RF signal and transmitted via an EM butterfly coupler which galvanivally isolates the output from the device input. At the device output, the RF signal is rectified and the PWM signal is reconstructed. The circuit analysis of the system is performed. The functionality of device stages, voltage and timing characteristics are presented.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikengleski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:762812
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2019-03-13 20:49:47