prikaz prve stranice dokumenta Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije
No public access
undergraduate thesis
Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. urn:nbn:hr:168:727986
Marković, Lovro
University of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing

Institutional repository: FER Repository

Cite this document

Marković, L. (2017). Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije (Undergraduate thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković, Lovro. "Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije." Undergraduate thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković, Lovro. "Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije." Undergraduate thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković, L. (2017). 'Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije', Undergraduate thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, accessed 26 November 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković L. Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije [Undergraduate thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing; 2017 [cited 2024 November 26] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

L. Marković, "Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije", Undergraduate thesis, University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Zagreb, 2017. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Metadata
TitleAnaliza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije
Title (english)Analysis of MOS transistor structures for sensor applications
AuthorLovro Marković
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Committee memberTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Committee memberMirko Poljak (član povjerenstva)
Committee memberTihomir Knežević (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Electrical Engineering and Computing
Zagreb
Defense date and country2017-07-13, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		TECHNICAL SCIENCES
Computing
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		TECHNICAL SCIENCES
Electrical Engineering
Abstract
Rad se temelji na elektroničkoj detekciji različitih molekula korištenjem MOS tranzistora. Analiziraju se temeljni pristupi dizajnu MOSFET struktura za senzorske primjene. Strukture su dizajnirane u standarnoj CMOS tehnologiji i simulirane koristeći TCAD programski paket. U središtu analize je osjetljivost njihovih strujno-naponskih karakteristika u odnosu na promjene koncentracija otopljenih tvari u otopini koja ih okružuje. Varijacije parametara modela uglavnom se odnose na parametre upravljačke (gate) elektrode. Simulacije su provedene za planarni MOSFET i naprednu FinFET strukturu uz usporedbu osjetljivosti njihovih karakteristika na promjene postavljenih parametara. S ciljem dobre procjene utjecaja otopine na strukturu, napravljeni su električni modeli različitih kemijskih spojeva radi procjene električkih uvjeta u različitim okruženjima. Kao nezavisna varijabla analize, uzeta je koncentracija substrata u otopini, a sami su senzori optimirani na maksimalnu osjetljivost.
Abstract (english)
This thesis focuses on the electrical sensing of different molecules at the MOS transistor level. The thesis summarizes two basic approaches in the design of MOSFET structures used in sensing applications. The structures are based on standard CMOS technology nodes and are defined in a TCAD software package. The sensitivity of their current-voltage characteristics on different material parameters, which are expected to change in various solutions of organic and anorganic molecules, are anaylzed. The parameter variation are primarily applied to the MOS gate stack. Simulations are carried out for the standard planar MOSFET and advanced FinFET structure comparing the sensitivity of their electrical characteristics on parameter variations. Electrical models of diverse chemical compounds are built in order to simulate changes of characteristics of a designed structure, when used in various types of surroundings. Different concentrations of chemical compounds are used as independent variables and the structures are optimized for maximum sensitivity.
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:168:727986
Study programmeTitle: Electrical Engineering and Information Technology
Study programme type: university
Study level: undergraduate
Academic / professional title: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsClosed access
Terms of useLicence In copyright icon
Public note
Created on2019-03-13 22:43:01