prikaz prve stranice dokumenta Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije
Rad nije dostupan
završni rad
Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. urn:nbn:hr:168:727986
Marković, Lovro
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Marković, L. (2017). Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije (Završni rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković, Lovro. "Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković, Lovro. "Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković, L. (2017). 'Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije', Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 30.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Marković L. Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije [Završni rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2017 [pristupljeno 30.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

L. Marković, "Analiza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije", Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2017. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:727986
Podaci o radu
NaslovAnaliza MOS tranzistorskih struktura za senzorske aplikacije
Naslov (engleski)Analysis of MOS transistor structures for sensor applications
AutorLovro Marković
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMirko Poljak (član povjerenstva)
Član povjerenstvaTihomir Knežević (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2017-07-13, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Računarstvo
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Rad se temelji na elektroničkoj detekciji različitih molekula korištenjem MOS tranzistora. Analiziraju se temeljni pristupi dizajnu MOSFET struktura za senzorske primjene. Strukture su dizajnirane u standarnoj CMOS tehnologiji i simulirane koristeći TCAD programski paket. U središtu analize je osjetljivost njihovih strujno-naponskih karakteristika u odnosu na promjene koncentracija otopljenih tvari u otopini koja ih okružuje. Varijacije parametara modela uglavnom se odnose na parametre upravljačke (gate) elektrode. Simulacije su provedene za planarni MOSFET i naprednu FinFET strukturu uz usporedbu osjetljivosti njihovih karakteristika na promjene postavljenih parametara. S ciljem dobre procjene utjecaja otopine na strukturu, napravljeni su električni modeli različitih kemijskih spojeva radi procjene električkih uvjeta u različitim okruženjima. Kao nezavisna varijabla analize, uzeta je koncentracija substrata u otopini, a sami su senzori optimirani na maksimalnu osjetljivost.
Sažetak (engleski)
This thesis focuses on the electrical sensing of different molecules at the MOS transistor level. The thesis summarizes two basic approaches in the design of MOSFET structures used in sensing applications. The structures are based on standard CMOS technology nodes and are defined in a TCAD software package. The sensitivity of their current-voltage characteristics on different material parameters, which are expected to change in various solutions of organic and anorganic molecules, are anaylzed. The parameter variation are primarily applied to the MOS gate stack. Simulations are carried out for the standard planar MOSFET and advanced FinFET structure comparing the sensitivity of their electrical characteristics on parameter variations. Electrical models of diverse chemical compounds are built in order to simulate changes of characteristics of a designed structure, when used in various types of surroundings. Different concentrations of chemical compounds are used as independent variables and the structures are optimized for maximum sensitivity.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:727986
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (univ. bacc. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2019-03-13 22:43:01