prikaz prve stranice dokumenta Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja
  Download
PDF 2.62 MB
doctoral thesis
Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja
Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Science, 2015. urn:nbn:hr:217:918197
Peter, Robert
University of Zagreb
Faculty of Science
Department of Physics

Institutional repository: Repository of the Faculty of Science

Cite this document

Peter, R. (2015). Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja (Doctoral thesis). Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Science. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter, Robert. "Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja." Doctoral thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter, Robert. "Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja." Doctoral thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter, R. (2015). 'Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja', Doctoral thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, accessed 20 November 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter R. Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja [Doctoral thesis]. Zagreb: University of Zagreb, Faculty of Science; 2015 [cited 2024 November 20] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

R. Peter, "Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja", Doctoral thesis, University of Zagreb, Faculty of Science, Zagreb, 2015. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Metadata
TitleIstraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja
Title (english)Analysis of poin defects in compound semiconducting materials by x-ray absorption spectroscopy and multiple scattering theory
AuthorRobert Peter
MentorMladen Petravić (mentor)
Committee memberKrešo Zadro (predsjednik povjerenstva)
Committee memberMladen Petravić (član povjerenstva)
Committee memberVito Despoja (član povjerenstva)
GranterUniversity of Zagreb
Faculty of Science
(Department of Physics)
Zagreb
Defense date and country2015-11-24, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		NATURAL SCIENCES
Physics
Universal decimal classification
(UDC)		53 - Physics
Abstract
U ovoj doktorskoj radnji predstavljamo istraživanje provedeno na poluvodičkim materijalima: borovom nitridu, BN, (heksagonalnoj i kubičnoj fazi te nanocjevčicama), galijevom nitridu, GaN, i cinkovom oksidu, ZnO, koji su bili izlagani niskoenergijskom ionskom bombardiranju, koje stvara niz točkastih defekata u tim materijalima. Karakterizacija nastalih točkastih defekata je provedena spektroskopskim tehnikama baziranim na interakciji rentgenskoga zračenja s materijalom : Spektroskopskom metodom fine strukture apsorpcije rentgenskih zraka blizu rubova ljuski (NEXAFS) i Spektroskopijom fotoelektrona rentgenskim zrakama (XPS). Obje tehnike ispituju elektronsku strukturu materijala i mogu utvrditi nastanak defekta u materijalu, budući da dani defekt stvara nova elektronska stanja u materijalu. Uz navedene eksperimentalne metode, koristili smo i teoriju višestrukoga raspršenja, ugrađenu u računarni kod FEFF, za proračune NEXAFS mjerenja, pomoću kojih se dobivaju informacije o vrsti i položaju defekta u rešetki poluvodiča. U heksagonalnim strukturama BN dušikove praznine, nastale ionskim ozračivanjem, bivaju popunjene atomima kisika prisutnim na površini uzoraka; uz nastajanja borovih i dušikovih intersticijskih atoma. Istovremeno se stvaraju jednostavne duškove molekule: N2 (u BN prahu i nanocjevčicama) i NO (u nanocjevčicama). S druge strane, ionsko bombardiranje GaN stvara dušikove intersticijske atome i dušikova protumjesta u materijalu. Eksperimentalna mjerenja i proračuni pokazuju prisutvo intersticijskih vodikovih atoma u ZnO, koji se vežu s kisikovim atomima ZnO matrice, u anti-vezujućoj konfiguraciji u tek naraslim kristalima, odnosno u konfiguraciji centrirane veze nakon hidratizacije.
Abstract (english)
Studies of point defects in III-N class of semiconductors have attracted great interest in recent decades, as these materials are widely used in new generation of optoelectronic and high frequency microelectronic devices. Namely, point defects (such as vacancies, antisites and interstitial atoms) can directly influence optical or electrical properties of semiconductor materials. For instance, native n-type conductivity and luminescence properties of gallium nitride and zinc oxide can be related to vacancies or interstitial atoms in their structures. Also, one of the interesting phenomenon related to nitrogen based semiconductors is the creation of interstitial molecular nitrogen (N2) during growth or processing of materials, and the question of physical properties of N2 molecule trapped in semiconductor matrix. Point defects have high energy formation in nitrogen related semiconductors (> 2eV), limiting the concentration of native defects to small values. Thus, exploration of point defect requires artificial creation of defects in materials. It is shown that the low-energy ion bombardment presents an efficient method to introduce various defects in semiconductor structures. In addition, ion irradiation is widely used in semiconductor industry in various processes (such as ion implantation, surface preparation or plasma etching), so studying the interaction of energetic ions with semiconductor matrix, in addition of being scientificaly interesting, is also technologically important.
Keywords
Keywords (english)
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:217:918197
Study programmeTitle: Physics
Study programme type: university
Study level: postgraduate
Academic / professional title: doktor/doktorica znanosti, područje prirodnih znanosti, polje fizika (doktor/doktorica znanosti, područje prirodnih znanosti, polje fizika)
Type of resourceText
Extent124 str.
File originBorn digital
Access conditionsOpen access
Terms of useLicence In copyright icon
Created on2017-08-25 08:00:11