prikaz prve stranice dokumenta Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja
  Preuzmi
PDF 2.62 MB
disertacija
Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2015. urn:nbn:hr:217:918197
Peter, Robert
Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
Fizički odsjek

Institucijski repozitorij: Repozitorij Prirodoslovno-matematičkog fakulteta

Citirajte ovaj rad

Peter, R. (2015). Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja (Disertacija). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter, Robert. "Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter, Robert. "Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter, R. (2015). 'Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, citirano: 25.03.2025., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Peter R. Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet; 2015 [pristupljeno 25.03.2025.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

R. Peter, "Istraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, 2015. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:918197
Podaci o radu
NaslovIstraživanje točkastih defekata u složenim poluvodičkim spojevima mjerenjem apsorpcije rentgenskoga zračenja i teorijom višestrukoga raspršenja
Naslov (engleski)Analysis of poin defects in compound semiconducting materials by x-ray absorption spectroscopy and multiple scattering theory
AutorRobert Peter
MentorMladen Petravić (mentor)
Član povjerenstvaKrešo Zadro (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMladen Petravić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaVito Despoja (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
(Fizički odsjek)
Zagreb
Datum i država obrane2015-11-24, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Univerzalna decimalna klasifikacija
(UDC)		53 - Fizika
Sažetak
U ovoj doktorskoj radnji predstavljamo istraživanje provedeno na poluvodičkim materijalima: borovom nitridu, BN, (heksagonalnoj i kubičnoj fazi te nanocjevčicama), galijevom nitridu, GaN, i cinkovom oksidu, ZnO, koji su bili izlagani niskoenergijskom ionskom bombardiranju, koje stvara niz točkastih defekata u tim materijalima. Karakterizacija nastalih točkastih defekata je provedena spektroskopskim tehnikama baziranim na interakciji rentgenskoga zračenja s materijalom : Spektroskopskom metodom... Više fine strukture apsorpcije rentgenskih zraka blizu rubova ljuski (NEXAFS) i Spektroskopijom fotoelektrona rentgenskim zrakama (XPS). Obje tehnike ispituju elektronsku strukturu materijala i mogu utvrditi nastanak defekta u materijalu, budući da dani defekt stvara nova elektronska stanja u materijalu. Uz navedene eksperimentalne metode, koristili smo i teoriju višestrukoga raspršenja, ugrađenu u računarni kod FEFF, za proračune NEXAFS mjerenja, pomoću kojih se dobivaju informacije o vrsti i položaju defekta u rešetki poluvodiča. U heksagonalnim strukturama BN dušikove praznine, nastale ionskim ozračivanjem, bivaju popunjene atomima kisika prisutnim na površini uzoraka; uz nastajanja borovih i dušikovih intersticijskih atoma. Istovremeno se stvaraju jednostavne duškove molekule: N2 (u BN prahu i nanocjevčicama) i NO (u nanocjevčicama). S druge strane, ionsko bombardiranje GaN stvara dušikove intersticijske atome i dušikova protumjesta u materijalu. Eksperimentalna mjerenja i proračuni pokazuju prisutvo intersticijskih vodikovih atoma u ZnO, koji se vežu s kisikovim atomima ZnO matrice, u anti-vezujućoj konfiguraciji u tek naraslim kristalima, odnosno u konfiguraciji centrirane veze nakon hidratizacije. Sakrij dio sažetka
Sažetak (engleski)
Studies of point defects in III-N class of semiconductors have attracted great interest in recent decades, as these materials are widely used in new generation of optoelectronic and high frequency microelectronic devices. Namely, point defects (such as vacancies, antisites and interstitial atoms) can directly influence optical or electrical properties of semiconductor materials. For instance, native n-type conductivity and luminescence properties of gallium nitride and zinc oxide can be... Više related to vacancies or interstitial atoms in their structures. Also, one of the interesting phenomenon related to nitrogen based semiconductors is the creation of interstitial molecular nitrogen (N2) during growth or processing of materials, and the question of physical properties of N2 molecule trapped in semiconductor matrix. Point defects have high energy formation in nitrogen related semiconductors (> 2eV), limiting the concentration of native defects to small values. Thus, exploration of point defect requires artificial creation of defects in materials. It is shown that the low-energy ion bombardment presents an efficient method to introduce various defects in semiconductor structures. In addition, ion irradiation is widely used in semiconductor industry in various processes (such as ion implantation, surface preparation or plasma etching), so studying the interaction of energetic ions with semiconductor matrix, in addition of being scientificaly interesting, is also technologically important. Sakrij dio sažetka
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:217:918197
Studijski programNaziv: Fizika
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: poslijediplomski doktorski
Akademski / stručni naziv: doktor/doktorica znanosti, područje prirodnih znanosti, polje fizika (dr. sc.)
Vrsta resursaTekst
Opseg124 str.
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2017-08-25 08:00:11
accessibility

closePristupačnostrefresh

Ako želite spremiti trajne postavke, kliknite Spremi, ako ne - vaše će se postavke poništiti kad zatvorite preglednik.