prikaz prve stranice dokumenta Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima
Rad nije dostupan
završni rad
Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. urn:nbn:hr:168:789516
Širić, Marko
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Širić, M. (2020). Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima (Završni rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516

Širić, Marko. "Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516

Širić, Marko. "Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516

Širić, M. (2020). 'Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima', Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516

Širić M. Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima [Završni rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2020 [pristupljeno 26.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516

M. Širić, "Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima", Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:789516
Podaci o radu
NaslovAnaliza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima
Naslov (engleski)Analysis of a resonant tunneling diode based on silicene nanoribbons with nonideal edges
AutorMarko Širić
MentorMirko Poljak (mentor)
Član povjerenstvaMirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaŽeljko Osrečki (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2020-09-15, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Računarstvo
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
U ovom radu dan je kratak pregled 2D materijala i opis silicena kao mogućeg materijala za primjenu u industriji nanoelektronike. Opisan je princip rada i svojstava rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama. Ukratko je objašnjen formalizam kvantnog transporta za jednodimenzionalne probleme u modelu efektivne mase. Korištenjem NEGF simulatora dobivene su I-V karakteristike SiNR RTD-a s neidealnim rubovima. Analiziran je utjecaj širine kvantne jame i potencijalne barijere na svojstva SiNR RTD-a. Usporedbom sa svojstvima RTD-a temeljenog na idealnim silicenskim nanovrpcama analiziran je utjecaj neidealnih rubova na relevantne parametre ovakve diode.
Sažetak (engleski)
In this work, we briefly described 2D materials with an emphasis on silicene as a potential semiconductor material for future nanoelectronics. We also described operating principles and properties of resonant tunneling diodes based on silicene nanoribbons. Quantum transport for 1D problems within the effective-mass approximation was also briefly explained. By using the NEGF simulator, we obtained the I-V characteristics of SiNR RTD-s with nonideal edges. We analyzed the dependence of RTD figures-of-merit on quantum well length and potential barrier length, and then compared them with the properties of the RTD based on ideal silicene nanoribbons and described how nonideal edges affect those properties.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:789516
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (univ. bacc. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-01-14 21:46:55