prikaz prve stranice dokumenta Modeliranje memristora
Rad nije dostupan
završni rad
Modeliranje memristora
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. urn:nbn:hr:168:387995
Kukić, Patrik
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Kukić, P. (2023). Modeliranje memristora (Završni rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995

Kukić, Patrik. "Modeliranje memristora." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995

Kukić, Patrik. "Modeliranje memristora." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995

Kukić, P. (2023). 'Modeliranje memristora', Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 08.03.2025., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995

Kukić P. Modeliranje memristora [Završni rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2023 [pristupljeno 08.03.2025.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995

P. Kukić, "Modeliranje memristora", Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2023. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:387995
Podaci o radu
NaslovModeliranje memristora
Naslov (engleski)Memristor modelling
AutorPatrik Kukić
MentorDario Bojanjac (mentor)
Član povjerenstvaDario Bojanjac (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaDominik Žanić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaFilip Turčinović (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2023-06-29, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Računarstvo
Sažetak
U radu je prikazana nova metoda određivanja optimalnog oblika gornje elektrode u RRAM ćelijama s promjenom valencije. Konstruiran je stohastički model rasta vodljivog vlakna (CF), koji se fokusirao samo na fazu formiranja. Napon prekida simulacije korišten je kao procjena za određivanje varijabilnosti vodljivosti u stanju niskog otpora. Optimizacija oblika gornje elektrode provedena je pomoću genetskog algoritma. Primijenjena je inovativna strategija mutacije, koja uzima u obzir povijest populacije, uz strategiju odabira putem eksponencijalne rang selekcije. Optimalni oblik elektrode, do broja epoha genetskog algoritma, prikazan je u odjeljku Rezultati.
Sažetak (engleski)
The paper presents a novel method of determining optimal top electrode shape in valence change RRAM cells. A model of stochastic conductive filament (CF) growth was constructed, which focused only on the formation phase. The cutoff voltage was used as a proxy for determining the conductance variability in the low resistance state. Optimization of the top electrode shape was performed using a genetic algorithm. An innovative mutation strategy, which takes into account the history of the population, was employed, alongside an exponential rank selection strategy. The optimal electrode shape, up to the number of genetic algorithm epochs, is presented in the Results section.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:387995
Studijski programNaziv: Računarstvo
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka računarstva (univ.bacc.ing.comp.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-07-13 10:14:07