prikaz prve stranice dokumenta Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima
Rad nije dostupan
diplomski rad
Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2024. urn:nbn:hr:168:432345
Vukadin, Tomo
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Vukadin, T. (2024). Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345

Vukadin, Tomo. "Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2024. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345

Vukadin, Tomo. "Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2024. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345

Vukadin, T. (2024). 'Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345

Vukadin T. Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2024 [pristupljeno 26.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345

T. Vukadin, "Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2024. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:432345
Podaci o radu
NaslovKarakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima
Naslov (engleski)Characteristics of FETs based on one-dimensional semiconductors
AutorTomo Vukadin
MentorMirko Poljak (mentor)
Član povjerenstvaMirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Marković (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2024-07-12, Hrvatska
Sažetak
U ovom radu predstavljen je model 1D GAA FET-a temeljen na materijalu I4Si2 kao materijalu kanala korištenjem programa Quantum Espresso i programskog koda Wannier90 za dobivanje strukture energijskih vrpci te programskog koda napisanog u programu MATLAB za simulaciju ponašanja tranzistora. Implementiran je model vrha barijere i opisan balistički transport uz idealne kontakte. Prikazane su performanse nFET-a i pFET-a za 15 nm dugačak kanal uz utjecaj promjene debljine oksida na transportna svojstva.
Sažetak (engleski)
This thesis describes 1D GAA FET model constructed using 1D material I4Si2 as a channel material. By using program Quantum Espresso and open-source code extension Wannier90 band diagram and transport properties were extracted. By using programming code written in MATLAB, behavior of the device was simulated. Top-of-the-barrier model was implemented and ballistic transport with ideal contacts was described. Performances of nFET and pFET were shown for 15 nm channel length with shown impact of different oxide thickness on transport properties.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:432345
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2024-10-12 22:28:50