prikaz prve stranice dokumenta Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu
Rad nije dostupan
magistarski rad
Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2006. urn:nbn:hr:168:290007
Perić, Mario
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Perić, M. (2006). Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu (Magistarski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007

Perić, Mario. "Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu." Magistarski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2006. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007

Perić, Mario. "Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu." Magistarski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2006. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007

Perić, M. (2006). 'Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu', Magistarski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 28.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007

Perić M. Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu [Magistarski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2006 [pristupljeno 28.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007

M. Perić, "Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu", Magistarski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2006. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:290007
Podaci o radu
NaslovAnaliza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu
AutorMario Perić
MentorPetar Biljanović (mentor)
Član povjerenstvaJulijana Divković-Pukšec (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaPetar Biljanović (član povjerenstva)
Član povjerenstvaBožidar Vojnović (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
(Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave)
Zagreb
Datum i država obrane2006, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Elektronika
Univerzalna decimalna klasifikacija
(UDC)		621.3 - Elektrotehnika
Sažetak
U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo različite tehnološke izvedbe te strukture, optimizirati geometrijske i topološke dimenzije. Pomoću dvodimenzionalnog 2D simulatora MEDICI izvršena analizu je i povezanost tehnološke parametre i karakteristike SONFET-a te modeliranje i ekstrakcija električkih parametara.
Sažetak (engleski)
Short overview of technology silicon on insulator and his advantages and problems with scaling is given. This transistor together with silicon on nothing MOS transistor will help as to understand vertical silicon on nothing MOS transistor. We will show different realization of vertical silicon on nothing transistors it will be optimize geometric and topologic dimension. With two-dimensional 2D electrical simulator MEDICI we will analyze and connect technologic parameter and characteristics of SONFET. It will be modeling SONFET and extraction of electrical parameters.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:290007
Studijski programNaziv: Elektrotehnika
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: poslijediplomski znanstveni (magistarski)
Akademski / stručni naziv: Magistar znanosti elektrotehnike (mag. ing. el.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2019-07-01 06:45:08