prikaz prve stranice dokumenta Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku
Rad nije dostupan
diplomski rad
Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2019. urn:nbn:hr:168:743169
Krivić, Marijana
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Krivić, M. (2019). Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169

Krivić, Marijana. "Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2019. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169

Krivić, Marijana. "Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2019. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169

Krivić, M. (2019). 'Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 29.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169

Krivić M. Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2019 [pristupljeno 29.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169

M. Krivić, "Grafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2019. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:743169
Podaci o radu
NaslovGrafenski tranzistori s efektom polja za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku
Naslov (engleski)Graphene field-effect transistors for high-frequency and flexible electronics
AutorMarijana Krivić
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaMirko Poljak (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2019-07-08, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Trenutačno, kao materijal za visoko-frekvencijsku i fleksibilnu elektroniku, grafen je najbolji izbor. Cilj ovog diplomskog rada motiviran je nedavno razvijenim terahertznim detektorom na plastici baziranom na grafenu koji je omogućio prvi heterodinski prijemnik baziran na grafenu. Ključne komponente ovakvog prijemnika trebale bi biti pod prednaponom. Takav način rada neizbježno unosi popriličnu količinu Jouleove topline koja, zbog intrinzično niske termalne vodljivosti fleksibilnih substrata, ugrožava učinak tranzistora. U ovom radu, GFET-ovi na krutom (Si/SiO2) te na flexibilnom (Kapton) substratu su dizajnirani, izrađeni i okarakterizirani. Nekolicina problema u njihovoj izradi je prodiskutirana. Jouleova toplina izrađenih tranzistora je analizirana putem termalnog snimanja i termo-senzitivnih električnih parametara. Nekolicina modela za zagrijavanje MOSFETa je razmotrena sa svrhom pronalaska onog koji bi najbolje odgovarao modeliranju zagrijavanja u GFET-ovima s ciljem optimiziranja njihovog dizajna. Također, utjecaj zagrijavanja na visoko-frekvencijski performans izrađenih tranzistora je analiziran.
Sažetak (engleski)
Graphene seems to currently be a material of choice for the high-frequency flexible electronics. The objective of this Master’s thesis has been motivated by the recently developed graphene - based terahertz detector on plastics which gave ground for the first graphene based flexible heterodyne receiver. Key components of such a receiver would need to be based. This mode of work unavoidably introduces a substantial amount of Joule heating which, due to the inherent low thermal conductivity of flexible substrates, causes performance issues. In this work, graphene field-effect transistors (GFETs) on rigid (Si/SiO2) and flexible polymer (Kapton) substrates have been designed, fabricated and characterised. Some of the issues related to the fabrication of GFETs on flexible substrates have been overviewed and discussed. Joule heating of the fabricated devices has been analysed via thermal imaging and thermo-sensitive electric parameters (TSEPs). A number of MOSFET heating models have been considered for the purpose of determining the one applicable for modelling of Joule heating in GFETs with the aim for optimisation of their design with regards to heating management. Finally, heating effect on the high frequency performance of the fabricated devices has been analysed.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikengleski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:743169
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2020-01-07 19:25:19