prikaz prve stranice dokumenta Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module
Rad nije dostupan
diplomski rad
Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. urn:nbn:hr:168:292257
Adamović, Domagoj
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Adamović, D. (2020). Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257

Adamović, Domagoj. "Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257

Adamović, Domagoj. "Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257

Adamović, D. (2020). 'Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 27.02.2025., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257

Adamović D. Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2020 [pristupljeno 27.02.2025.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257

D. Adamović, "Projektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:292257
Podaci o radu
NaslovProjektiranje okidnog sklopa za silicij-karbid energetske module
Naslov (engleski)Design of a gate driver for the silicon-carbide power modules
AutorDomagoj Adamović
MentorMarinko Kovačić (mentor)
Član povjerenstvaMarinko Kovačić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaStjepan Stipetić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaZlatko Hanić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2020-07-07, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Opisan je princip rada i specifičnosti upravljanja SiC MOSFET poluvodičkim sklopkama te njihove prednosti u odnosu na IGBT. SiC tehnologija pruža značajno smanjenje gubitaka te rad na većim sklopnim frekvencijama. Prikazana je struktura okidnog sklopa i funkcije koje mora zadovoljiti. Napravljen je pregled metoda galvanske izolacije signala i napajanja kao i metode zaštite sklopke. U praktičnom dijelu rada projektiran je i izrađen prototip okidnog sklopa za SiC poluvodički modul. Poluvodički modul se sastoji od dvije SiC MOSFET sklopke u jednom kućištu i predstavlja jednu fazu izmjenjivača. Sklop se bazira na komercijalno dostupnom integriranom krugu za galvansku izolaciju signala, upravljanje i zaštitu SiC MOSFET-a, a koriste se dva izlazna kanala. Koordinacija izolacije rađena je prema normama za primjenu u željezničkim sustavima. Također su provedene ispitne metode na prototipu čime je dokazana njegova funkcionalnost.
Sažetak (engleski)
The main specifications and control requirements of SiC MOSFET semiconductor switches and their capabilities compared to IGBT are described. SiC technology enables reduction of switching losses and enables switching at higher frequencies. The structure of the gate driver and the functions that must be satisfied are shown. An overview of the methods for the galvanic isolation of signal and power supply as well as the method for the switch protection was made. In the hardware design part of the thesis, a prototype of a gate driver for a SiC semiconductor module was developed and assembled. The semiconductor module that was used consists of two SiC MOSFET switches in one housing and represents one phase of the power inverter. The designed circuit is based on a commercially available integrated gate driver for galvanic signal isolation, control and protection of the SiC MOSFET. Insulation coordination was done according to the international standard for railway applications Test methods were performed on the prototype to prove proper functionality.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:292257
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-01-13 09:03:06