prikaz prve stranice dokumenta Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora
  Preuzmi
PDF 1.25 MB
završni rad
Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, 2015. urn:nbn:hr:149:256291
Galov, Daniel
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije

Institucijski repozitorij: Repozitorij Fakulteta kemijskog inženjerstva i tehnologije Sveučilišta u Zagrebu

Citirajte ovaj rad

Galov, D. (2015). Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora (Završni rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291

Galov, Daniel. "Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291

Galov, Daniel. "Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291

Galov, D. (2015). 'Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora', Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, citirano: 04.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291

Galov D. Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora [Završni rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije; 2015 [pristupljeno 04.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291

D. Galov, "Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora", Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, Zagreb, 2015. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:149:256291
Podaci o radu
NaslovUčinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora
Naslov (engleski)Quantum mechanical tunneling effect in the functioning of transistors
AutorDaniel Galov
MentorVladimir Dananić (mentor)
Član povjerenstvaVladimir Dananić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaZvonimir Glasnović (član povjerenstva)
Član povjerenstvaNenad Bolf (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije
Zagreb
Datum i država obrane2015-09-07, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Opća i klasična fizika
Sažetak
Tranzistor predstavlja temelj svijeta mikroelektronike. Ova naprava omogućava funkcioniranje svih ostalih tehničkih naprava i samim time je nezamjenjiv čimbenik u daljnjem razvoju i usavršavanju tehnologije. Cilj ovog rada je povezivanje kvantne kemije s mikroelektronikom i upoznavanje s tzv. kvantim tranzistorom ili tranzistorom s efektom tuneliranja koji predstavlja, po svim empirijskim dokazima i istraživanjima koja su učinjena, novo poglavlje u optimizaciji rada svih tehnoloških naprava. Ne samo da su testni rezultati rada ovakvog tranzistora znatno bolji od svih dosadašnjih tipova tranzistora već su i njegove dimenzije rekordno umanjene čineći mikroelektronske sklopove kompaktnijima nego ikad dosada. Rezultati su pokazali da se korištenjem principa kvantnog tuneliranja u proizvodnji integriranih krugova otvaraju vrata bezbrojnim novim mogućnostima izrade tranzistora, a samim tim se granice performansi tehničkih naprava pomiču u nedogled daleko.
Sažetak (engleski)
The transistor represents the foundation of the world of microelectronics. This device makes the functioning of all other technological devices possible and thereby it is an irreplacable factor in the further development and perfecting of technology. The goal of this work is connecting quantum chemistry with microeletronics and getting to know the so called quantum transistor or tunneling field effect transistor which represents, by all empiric evidences a new chapter in the optimisation of technological devices. Not only are the test results of this transistor far better than all the other types of transistors but also are its dimensions record low making microelectronic devices more compact than ever. Results have shown that by the use of quantum tunneling in the fabrication of integrated circuits, countless new doors are opened for new ways of making transistors and by that the limitations of technical devices' performances are moved into infinity.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:149:256291
Studijski programNaziv: Kemijsko inženjerstvo
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka kemijskog inženjerstva (univ. bacc. ing. cheming.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2016-09-26 12:58:05