prikaz prve stranice dokumenta In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers
  Preuzmi
PDF 4.49 MB
diplomski rad
In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers
Osijek: Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju, 2020. urn:nbn:hr:182:759151
Šantić, Natalija
Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku
Odjel za kemiju

Institucijski repozitorij: Repozitorij Odjela za kemiju, Osijek

Citirajte ovaj rad

Šantić, N. (2020). In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers (Diplomski rad). Osijek: Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151

Šantić, Natalija. "In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers." Diplomski rad, Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151

Šantić, Natalija. "In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers." Diplomski rad, Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151

Šantić, N. (2020). 'In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers', Diplomski rad, Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju, citirano: 30.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151

Šantić N. In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers [Diplomski rad]. Osijek: Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju; 2020 [pristupljeno 30.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151

N. Šantić, "In situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers", Diplomski rad, Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za kemiju, Osijek, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:182:759151
Podaci o radu
NaslovIn situ transmission electron microscopy investigation of the decomposition of the epitaxial GeSn layers
Naslov (hrvatski)In situ istraživanje termičkog raspada epitaksijalnih slojeva GeSn legure transmisijskom elektronskom mikroskopijom
AutorNatalija Šantić
MentorTomislav Balić (mentor)
MentorHeiko Groiss https://orcid.org/0000-0002-2238-4805 (komentor)
Član povjerenstvaMartina Medvidović-Kosanović (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaAleksandar Sečenji (član povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Balić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku
Odjel za kemiju
Osijek
Datum i država obrane2020-11-24, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Kemija
Anorganska kemija
Sažetak
Legura \( Ge_{1-x}Sn_{x}\) s x> 0,01 termodinamički je metastabilna i Sn na temperaturama iznad ≈230°C teži odvajanju, difundiranju i taloženju kao β-Sn u strukturama nalik kapljicama. In situ eksperimenti žarenja u transmisijskom elektronskom mikroskopu omogućuju promatranje i proučavanje termičkog raspada epitaksijalnih slojeva \( Ge_{1-x}Sn_{x}\). Jedan od glavnih zahtjeva za ispitivanja putem TEM-a je uzorak proziran za elektrone. Prema tome priprema uzorka je ključni korak prema TEM pokusima. Postupak pripreme uzorka razvijen je kombinacijom različitih tehnika pripreme. Prvo, MBE sintetizirani \( Ge_{1-x}Sn_{x}\) i referentni materijal Si (s Ge kvantnim točkama) pripremljeni su tehnikom klinastog poliranja. Nadalje, fokusirani ionski snop (FIB) korištena je za pripremu grijaćeg čipa za in situ eksperiment žarenja. Različite metode mikroskopije korištene su za optimizaciju i validaciju razvijenog postupka pripreme uzorka za in situ TEM eksperiment žarenja
Sažetak (engleski)
The \( Ge_{1-x}Sn_{x}\) alloy with x>0.01 is thermodynamically metastable and Sn tends to diffuse, segregate or precipitate as β-Sn in a droplet-like structure at temperature above ≈230°C. In situ heating experiments via transmission electron microscopy (TEM) allows us to observe and study the decomposition process of \( Ge_{1-x}Sn_{x}\). The main requirement for TEM investigation is an electron transparent specimen. Hence, specimen preparation is a key step towards TEM experiments. The sample preparation procedure has been developed using a combination of preparation techniques. The MBE synthesized \( Ge_{1-x}Sn_{x}\) and reference material Si (with Ge quantum dots) have been prepared with wedge polishing technique. Further, focused ion beam (FIB) has been used to prepare a heating chip for the in situ TEM heating experiment. Various microscopy methods have been used to optimize and validate the developed sample preparation procedure.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:182:759151
Studijski programNaziv: Kemija; smjerovi: Istraživački
Smjer: Istraživački
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra kemije (mag.chem.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomenaRad je izrađen na: Johannes Kepler University Linz, Centre of Surface and Nanoanalytics i Christian Doppler Laboratory for Nanoscale phase Transformations.
Datum i vrijeme pohrane2020-12-11 11:59:14