prikaz prve stranice dokumenta Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS
Pristup korisnicima matične ustanove
diplomski rad
Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS
Rijeka: Sveučilište u Rijeci, 2021. urn:nbn:hr:194:998781
Arifović, Dario
Sveučilište u Rijeci
Fakultet za fiziku

Institucijski repozitorij: Repozitorij Fakulteta za fiziku Sveučilišta u Rijeci

Citirajte ovaj rad

Arifović, D. (2021). Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS (Diplomski rad). Rijeka: Sveučilište u Rijeci. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781

Arifović, Dario. "Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS." Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, 2021. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781

Arifović, Dario. "Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS." Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, 2021. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781

Arifović, D. (2021). 'Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS', Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, citirano: 22.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781

Arifović D. Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS [Diplomski rad]. Rijeka: Sveučilište u Rijeci; 2021 [pristupljeno 22.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781

D. Arifović, "Istraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS", Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, Rijeka, 2021. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:998781
Podaci o radu
NaslovIstraživanje vodikovih nečistoća u tankih filmovima cinkovog oksida korištenjem tehnike SIMS
Naslov (engleski)Hydrogen impurities in zinc oxide thin films investigated with SIMS technique
AutorDario Arifović
MentorRobert Peter (mentor)
Član povjerenstvaIvana Jelovica Badovinac (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaRobert Peter (član povjerenstva)
Član povjerenstvaIva Šarić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Rijeci
(Fakultet za fiziku)
Rijeka
Datum i država obrane2021-09-29, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
U radu je korištena metoda depozicije atomskih slojeva (ALD) za narastanje tankih filmova cinkovog oksida (ZnO) na različitim temperaturama. Za sintezu ZnO korištena su dva prekursora: voda (H2O) i dietilcink (DEZ). Depozicije su se radile na podlogama Si, na temperaturama između 60 °C i 220 °C. Za karakterizaciju sintetiziranih filmova ZnO koristila se masena spektrometrija sekundarnih iona (SIMS), kojom je načinjena elementna analiza i izmjereni su dubinski profili uzoraka. Nadalje, izračunate su koncentracije H nečistoća u ZnO filmova, pomoću SIMS analize ZnO uzorka implantiranog s vodikom. Utvrđeno je da s porastom temperature ALD sinteze, opada koncentracija H nečistoća u uzorcima ZnO.
Sažetak (engleski)
In this work, atomic layer deposition (ALD) was used for the growth of ZnO thin films at different temperatures. ZnO samples were synthised using water (H2O) and diethylzinc (DEZ), as the precoursors. Deposition of ZnO was done on silicon wafers at the temperatures between 60 °C and 220 °C. Secondary ion mass specotrmetry (SIMS) was employed for the characterizstion of ZnO samples. The elemental analysis and the depth profiles of ZnO thin films were measured with SIMS technique. Furthermore, The concentrations of H impurities in ALD grown ZnO films were determined using SIMS analysis of ZnO sample implanted with hydrogen. It was found that, the concentration of H impurities in ZnO samples decreases with the increasing temperature of ALD synthesis.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:194:998781
Studijski programNaziv: Inženjerstvo i fizika materijala
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjerstva i fizike materijala (mag. phys. et techn.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaPristup korisnicima matične ustanove
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2021-10-21 10:52:14