prikaz prve stranice dokumenta Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama
  Preuzmi
PDF 1.42 MB
diplomski rad
Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2014. urn:nbn:hr:217:538621
Ivanić, Vedran
Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
Fizički odsjek

Institucijski repozitorij: Repozitorij Prirodoslovno-matematičkog fakulteta

Citirajte ovaj rad

Ivanić, V. (2014). Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621

Ivanić, Vedran. "Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2014. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621

Ivanić, Vedran. "Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2014. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621

Ivanić, V. (2014). 'Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, citirano: 26.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621

Ivanić V. Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet; 2014 [pristupljeno 26.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621

V. Ivanić, "Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, 2014. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:538621
Podaci o radu
NaslovTransportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama
Naslov (engleski)Transport properties of holes in nanometer germanium structures
AutorVedran Ivanić
MentorTomislav Suligoj (mentor)
MentorIvo Batistić (mentor)
Član povjerenstvaIvo Batistić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (član povjerenstva)
Član povjerenstvaGoranka Bilalbegović (član povjerenstva)
Član povjerenstvaIvan Kupčić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaHrvoje Buljan (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
(Fizički odsjek)
Zagreb
Datum i država obrane2014-09-26, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
Numeričkim modeliranjem utemeljenim na fizikalnim zakonima je računata pokretljivosti šupljina u ultra-tankim germanijskim slojevima. Schrodingerova i Poissonova jednadžba je uzeta u obzir samokonzistentno a mobilnost je izražena preko Kubo-Greenwood formule. Kvantno zatočenje je uzeto u obzir za pojas teških, lakih i split-off šupljina za germanijski MOSFET sa dvije upravljačke elektrode. Promatrana je raspodjela valne funkcije šupljina unutar germanija i energetski nivoi. Raspršenje na akustičnim i optičkim fononima je uzeto u obzir prilikom računanja impulsnog relaksacijskog vremena šupljina. Opaženo smanjenje pokretljivosti u tanjim slojevima je objašnjeno pregledom utjecaja zatočenja izazvanog poljem i geometrijskog zatočenja. Doprinosi različitih pojaseva šupljina su proučeni računajući populaciju pojedinog pojasa i njegovu mobilnost.
Sažetak (engleski)
Physics-based modeling of hole mobilities in ultra-thin germanium layers is calculated with self-consistent Schrodinger-Poisson solver and Kubo- Greenwood formula. Quantum confinement is taken into account for heavy, light and split-off hole band in a double-gate germanium MOSFET structure. Distribution of hole wave function is examined along with energy levels. Acoustic and optical phonon scattering is taken into consideration in the calculation of hole momentum relaxation time. The observed reduction of mobility in thinner layers is explained by examining the influence of fieldinduced and geometry-induced confinement. Contributions from different hole bands are investigated by calculating band population and respective band mobilities.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:217:538621
Studijski programNaziv: Fizika; smjerovi: istraživački
Smjer: istraživački
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: integrirani preddiplomski i diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra fizike (mag. phys.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2017-06-14 15:03:53