prikaz prve stranice dokumenta Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora
Rad nije dostupan
diplomski rad
Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. urn:nbn:hr:168:892099
Tabaković, Azra
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Tabaković, A. (2023). Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099

Tabaković, Azra. "Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099

Tabaković, Azra. "Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099

Tabaković, A. (2023). 'Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 23.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099

Tabaković A. Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2023 [pristupljeno 23.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099

A. Tabaković, "Računalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2023. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:892099
Podaci o radu
NaslovRačunalna analiza temperaturnih ovisnosti karakteristika bipolarnih tranzistora
Naslov (engleski)Computer analysis of temperature dependence of bipolar transistor characteristics
AutorAzra Tabaković
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaDubravko Babić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2023-06-26, Hrvatska
Sažetak
Rad se bavi proučavanjem karakteristika bipolarnih tranzistora na niskim temperaturama. Na početku su objašnjeni najvažniji efekti koji utječu na rad bipolarnih tranzistora, kao i problematika silicijskih i silicij-germanijskih bipolarnih tranzistora na niskim temperaturama. U nastavku rada naglasak je na bipolarnom tranzistoru s horizontalnim tokom struje. Odrađena je optimizacija modela tranzistora na temperaturi 300 K kako bi rezultati simulacija odgovarali mjerenim rezultatima. Drugi dio sadrži rezultate simulacija tranzistora na nižim temperaturama (do 30 K) gdje se dodatno javlja utjecaj freeze-outa nosilaca. Rezultati odstupaju od očekivanih i model je potrebno optimirati za rad na nižim temperaturama. Moguća rješenja su korištenje drugačijih modela fizikalnih efekata u simulaciji i prilagodba profila dopinga, prvenstveno baze i emitera.
Sažetak (engleski)
The paper shows research on the characteristics of bipolar transistors at low temperatures. At the beginning, the most important effects affecting the operation of bipolar transistors and the problems of silicon and silicon-germanium bipolar transistors at low temperatures are explained. In the continuation of the work, the emphasis is on the horizontal current bipolar transistor. The simulation model of the transistor was optimized at a temperature of 300 K in order to match the simulation results with the measurements. The second part contains the results of transistor simulations at lower temperatures (up to 30 K), where the influence of carrier freeze-out appears. The results deviate from the expected and the model needs to be optimized for operation at lower temperatures. Possible solutions are the use of different models of physical effects in the simulation and adjustment of doping profiles, primarily base and emitter.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:892099
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-07-13 10:36:51