prikaz prve stranice dokumenta Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja
Rad nije dostupan
diplomski rad
Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2015. urn:nbn:hr:168:347629
Karač, Marija
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Karač, M. (2015). Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač, Marija. "Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač, Marija. "Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač, M. (2015). 'Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 19.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač M. Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2015 [pristupljeno 19.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

M. Karač, "Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2015. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629
Podaci o radu
NaslovMikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja
Naslov (engleski)Microwave amplifier with AlGaN/GaN field-effect transistor
AutorMarija Karač
MentorDubravko Babić (mentor)
Član povjerenstvaDubravko Babić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaZvonimir Šipuš (član povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Bosiljevac (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2015-07-01, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Ovaj rad opisuje dizajn i izradu uskopojasnog jednostupanjskog RF pojačala snage, koje radi u klasi AB, na 2 GHz. Korišten je AlGaN/GaN HEMT s visokom pokretljivošću elektrona. Opisan je proračun mreža za ugađanje ulazne i izlazne impedancije, proces izrade tiskane pločice te mjerenja i ugađanja pasivnih komponenti da bi se dobili rezultati na 2GHz.
Sažetak (engleski)
This work describes design and production of narrowband single stage RF power amplifier, operating in class AB, with working frequency of 2GHz. For active element is chosen AlGaN/GaN HEMT, which contains high mobility electrons. In detail is described estimation of input and output matching networks, process of manufacturing PCB (printed circuit board), measuring and tuning of passive elements, in order to get results on 2 GHz.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:347629
Studijski programNaziv: Informacijska i komunikacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka informacijske i komunikacijske tehnologije (mag. ing. inf. et comm. techn.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2018-02-06 09:35:09