prikaz prve stranice dokumenta Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida
Rad nije dostupan
diplomski rad
Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. urn:nbn:hr:168:772006
Prevarić, Ivan
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Prevarić, I. (2023). Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006

Prevarić, Ivan. "Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006

Prevarić, Ivan. "Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006

Prevarić, I. (2023). 'Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006

Prevarić I. Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2023 [pristupljeno 26.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006

I. Prevarić, "Analiza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2023. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:772006
Podaci o radu
NaslovAnaliza performansi FET-ova temeljenih na nanovrpcama monosloja molibden-disulfida
Naslov (engleski)Performance analysis of FETs based on monolayer molybdenum disulfide nanoribbons
AutorIvan Prevarić
MentorMirko Poljak (mentor)
Član povjerenstvaMirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaVladimir Čeperić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2023-07-04, Hrvatska
Sažetak
U ovom radu, koristeći ab initio Hamiltonijane i kvantni transport temeljen na Greenovim funkcijama van ekvilibrija, opisane su MoS2-NR FET-ovi. Pomoću hamiltonijana izračunata je kompleksna struktura energijskih vrpci te je ekstrahirana atenuacija unutar zabranjenog pojasa. Otprije implementiranom simulatoru TOB modela priključen je UTB model koji proračun struja curenja radi na temelju ekstrahiranih atenuacijskih karakteristika. Usporedbom rezultata pri korištenju ekstrahirane i parabolom aproksimirane atenuacije zaključeno je da aproksimirana atenuacija značajno precjenjuje tuneliranje te da nije pogodna za korištenje za MoS2-NR. Pokazano je da MoS2-NR FET-ovi imaju dovoljno jaku atenuaciju tuneliranja za sve duljine kanala. Maksimalna ukupna struja curenja za najkraći kanal bila je 16.5 nA/μm kod nFET-ova, te 22 nA/μm kod pFET-ova.
Sažetak (engleski)
In this work we used the ab initio Hamiltonians and quantum transport simulations based on Green’s functions to construct MoS2-NR FETs. Hamiltonians were used to calculate the complex bandstructure and attenuation in the forbidden region was extracted. Alongside before implemented TOB model, UTB model was used to calculate the total OFF state current based on extracted attenuation characteristics. By comparing the results we find that approximation significantly overestimates tunnelling and that it is not adequate for use in MoS2-NRs. It was shown that MoS2-NR FETs have strong attenuation of tunneling for all channel lengths. Maximum current obtained for shortest channel was 16.5 nA/μm for nFETs and 22 nA/μm for pFETs.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:772006
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-10-11 10:13:44