prikaz prve stranice dokumenta Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja
Rad nije dostupan
diplomski rad
Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2014. urn:nbn:hr:168:279084
Krivec, Sabina
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Krivec, S. (2014). Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084

Krivec, Sabina. "Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2014. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084

Krivec, Sabina. "Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2014. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084

Krivec, S. (2014). 'Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084

Krivec S. Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2014 [pristupljeno 26.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084

S. Krivec, "Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2014. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:279084
Podaci o radu
NaslovModeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja
Naslov (engleski)Modeling of electron transport in Gallium-nitride Field Effect Transistors
AutorSabina Krivec
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaMirko Poljak (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2014-07-11, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Cilj ovog rada je razvoj modela transporta nosilaca u GaN sloju MOS strukture s vrlo tankim tijelom te analiza promjene pokretljivosti pri niskim iznosima lateralnog polja s obzirom na skaliranje debljine GaN sloja i promjenu napona na upravljačkim elektrodama u slučajevima DG i SG strukture. Obavljen je poluklasični proračun pokretljivosti nosilaca u dvodimenzionalnom elektronskom plinu temeljen na Fermijevom zlatnom pravilu i aproksimaciji vremena relaksacije momenta. Uzimajući u obzir relevantne mehanizme raspršenja nosilaca te analizom pojedinog mehanizma raspršenja na transport nosilaca unutar GaN sloja zaključeno je da najveći utjecaj na pokretljivost pri malim iznosima električnog polja ima raspršenje na Coulombovim centrima, dok pri većim iznosima el. polja dominantan utjecaj na pokretljivost ima raspršenje na međupovršinama. Usporedbom pokretljivosti za slučajeve DG i SG strukture zaključeno je da je pokretljivost u slučaju DG strukture veća od SG strukture, što je pogotovo istaknuto za debljine tijela od 3 do 10 nm, gdje se u slučaju DG strukture javljaju maksimumi pokretljivosti kao posljedica inverzija volumena pri srednjim iznosima napona upravljačke elektrode.
Sažetak (engleski)
In this thesis, the modeling of electron transport in GaN UTB structure and the analysis of low field mobility considering the scaling of body thickness and application of different gate voltages for DG and SG structure is reported. For transport calculation a semi-classical approach was used based on Fermi golden rule and momentum relaxation time approximation. Scattering mechanisms that were included in the analysis were: acoustic (AP) and polar optical (POP) phonon scattering, surface roughness (SR) scattering and Coulomb scattering on impurities and interface charge (CO). It was concluded that CO scattering exhibits the strongest influence on the mobility at low gate voltages, while SR scattering degrades mobility at higher gate voltages. Comparison of the transport properties of DG and SG structures has shown that DG architecture offers higher mobility values for body thicknesses between 3 nm and 10 nm due to the volume inversion at moderate gate voltages.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:279084
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2018-02-06 09:55:01