prikaz prve stranice dokumenta Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials
  Preuzmi
PDF 35.38 MB
disertacija
Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2024. urn:nbn:hr:168:072309
Matić, Mislav
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Matić, M. (2024). Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials (Disertacija). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309

Matić, Mislav. "Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2024. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309

Matić, Mislav. "Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2024. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309

Matić, M. (2024). 'Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.03.2025., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309

Matić M. Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2024 [pristupljeno 26.03.2025.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309

M. Matić, "Quantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2024. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:072309
Podaci o radu
NaslovQuantum-transport analysis of transistors based on nanoribbons of novel 2D materials
Naslov (hrvatski)Kvantnotransportna analiza tranzistora temeljenih na nanovrpcama novih 2D materijala
AutorMislav Matić
MentorMirko Poljak (mentor)
Član povjerenstvaMarko Koričić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Marković (član povjerenstva)
Član povjerenstvaIvor Lončarić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
(Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave)
Zagreb
Datum i država obrane2024-10-25, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Univerzalna decimalna klasifikacija
(UDC)		621.3 - Elektrotehnika
Sažetak
The development and optimization of future logic electron devices strongly relies on novel materials and device architectures. One of the most promising research paths is presented by 2D materials patterned into quasi-one-dimensional (1D) nanostructures known as nanoribbons. The aim of this dissertation was to develop an ab initio quantum transport method to assess the potential of quasi-1D materials for future extremely-scaled field-effect transistors (FETs). The investigated materials include... Više armchair (AC) and zigzag (ZZ) nanoribbons of MX2-enes (MX2NRs) with M = {Hf, Zr} and X = {S, Se}, AC and ZZ nanoribbons of monolayer germanium sulfide (GeSNRs), as well as nanoribbons of monolayer molybdenum disulfide (MoS2NRs). The ab initio quantum transport study is performed using density functional theory (DFT) and maximally localized Wannier functions (MLWFs) to obtain the electronic structure and device Hamiltonians. The obtained atomistic Hamiltonians are coupled with the non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism-based numerical solver for quantum transport simulations of FETs. The thesis investigated the performance of nanoribbon FETs in detail and supported the findings by examining the electronic and transport properties of these nanostructures. The results showed that nanostructured Hf- and Zr-based MX2-enes and GeS present a promising platform for future ultra-scaled high-performance logic devices. Sakrij dio sažetka
Sažetak (hrvatski)
Razvoj i optimizacija logičkih elektroničkih elemenata oslanja se na nove materijale i arhitekture elemenata. Jedan od najperspektivnijih pravaca istraživanja novih elemenata je primjena 2D materijala oblikovanih u kvazi-jednodimenzionalne (kvazi-1D) nanostrukture, nazvane nanovrpcama. Cilj ove doktorske disertacije bio je razviti metodu temeljenu na ab initio kvantnotransportnom izračunu kako bi se istražio potencijal kvazi-1D materijala za ekstremno skalirane tranzistore s efektom polja... Više (engl. field-effect transistor, FET). Materijali čiji se potencijal istraživao uključuju armchair (AC) i zigzag (ZZ) nanovrpce MX2-ena (MX2NR) s M = {Hf, Zr} i X = {S, Se}, AC i ZZ nanovrpce germanij-sulfida (GeSNR), kao i nanovrpce molibden-disulfida (MoS2NR). Ab initio kvantnotransportne simulacije izvedene su korištenjem teorije funkcionala gustoće (DFT) i maksimalno lokaliziranih Wannierovih funkcija (MLWF) za dobivanje elektronske strukture i hamiltonijana nanovrpci. Dobiveni hamiltonijani povezani su sa numeričkim simulatorom kvantnog transporta koji se temelji na formalizmu Greenove funkcije izvan ravnoteže (NEGF) za simulaciju FET-ova. U disertaciji su detaljno istražene performanse FET-ova temeljenih na nanovrpcama, a dobiveni rezultati su objašnjeni analizom elektronskih i transportnih svojstva istraživanih nanostruktura. Rezultati istraživanja pokazuju da su nanostrukturirani GeS te MX2-eni temeljeni na hafniju i cirkoniju materijali s obećavajućim svojstvima za buduće ultra-skalirane logičke elemente visokih performansi. Sakrij dio sažetka
Ključne riječi
Ključne riječi (hrvatski)
Jezikengleski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:072309
Datum promocije2025
Studijski programNaziv: Elektrotehnika
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: poslijediplomski znanstveni (doktorski)
Akademski / stručni naziv: doktor/doktorica znanosti, po-dručje tehničkih znanosti (dr. sc.)
Vrsta resursaTekst
Opseg119 str.
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2025-01-29 12:39:35
accessibility

closePristupačnostrefresh

Ako želite spremiti trajne postavke, kliknite Spremi, ako ne - vaše će se postavke poništiti kad zatvorite preglednik.