prikaz prve stranice dokumenta Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije
Rad nije dostupan
diplomski rad
Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. urn:nbn:hr:168:632054
Tolić, Ivan Porin
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Tolić, I. P. (2018). Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054

Tolić, Ivan Porin. "Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054

Tolić, Ivan Porin. "Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054

Tolić, I. P. (2018). 'Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054

Tolić IP. Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2018 [pristupljeno 26.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054

I. P. Tolić, "Visokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2018. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:632054
Podaci o radu
NaslovVisokoprecizno pojačalo za neizbrisive memorije
Naslov (engleski)High Precision Sense Amplifier for Non-Volatile Memory
AutorIvan Porin Tolić
MentorAdrijan Barić (mentor)
Član povjerenstvaAdrijan Barić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaVladimir Čeperić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2018-09-27, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Neizbrisive memorije koriste se u prijenosnim uređajima, ugradbenim sustavima, u memoriji za pohranu parametara za digitalnu obradu signala itd. Kako bi memorija bila korisna, potreban je parametar/svojstvo s barem dva stanja. U slučaju neizbrisivih memorija, dva logička stanja, '0' i '1', ostvarena su elementima baziranim na pohranjivanju naboja. Točnije, naboj je "zarobljen" u specifičnom dijelu tranzistora čime se mijenja određeno svojstvo elementa (tj. napon praga). Na taj način prisutstvo ili odsutstvo naboja se može detektirati. Dakle, osjetilna pojačala potrebna su za detekciju stanja memorijskih elemenata. S diferencijalnim ćelijama, dva tranzistora koriste se za jedan bit. Jedna od ćelija je programirana (naboj je "zarobljen"), dok druga je obrisana (bez naboja u plivajućoj upravljačkoj elektrodi). Dvije struje iz ćelija ulazi su osjetilnog pojačala. Glavni zadatak osjetilnog pojačala je osjetiti razilku između dviju ulaznih struja i postaviti izlazne napone na ispravne vrijednosti. Tehnologija korištena za dizajn je TSMC 180 nm. Uz različite pristupe projektiranja krugova, dobiveni su različiti rezultati u smislu brzine, površine i preciznosti.
Sažetak (engleski)
Non-volatile memories (NVM-s) are used in portable devices, embedded systems, in memory for storing DSP parameters etc. To have usable memory, it is required to have a detectable parameter/property with at least two states. In case of NVM, the two logic states, ’0’ and ’1’, are realized with charge-based memory devices. More precisely, the charge is "trapped" in the specific region of the transistor thus changing some property of the device (e.g. threshold voltage). This way the presence or the absence of the charges is to be sensed. Therefore, sense amplifiers are needed for detecting the states of memory devices. With the differential cells, two transistor are used for one bit. One of the cells is programmed (the charge is "trapped"), while the other is erased (without charges in the floating gate). Two currents from cells are inputs to the sense amplifier. The main task of the sense amplifier is to sense the difference between two input currents and to set the output voltages to correct values. The technology used for the design was TSMC 180 nm. Using different circuit designs, different results interms of speed, area and precision were achieved.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikengleski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:632054
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2019-03-14 01:33:59