prikaz prve stranice dokumenta Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology
Rad nije dostupan
disertacija
Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. urn:nbn:hr:168:980460
Žilak, Josip
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Žilak, J. (2017). Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology (Disertacija). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460

Žilak, Josip. "Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460

Žilak, Josip. "Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460

Žilak, J. (2017). 'Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 17.07.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460

Žilak J. Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2017 [pristupljeno 17.07.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460

J. Žilak, "Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2017. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:980460
Podaci o radu
NaslovCharacteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology
Naslov (hrvatski)Karakteristike radiofrekvencijskih integriranih sklopova i pouzdanost elemenata u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje
AutorJosip Žilak
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
(Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave)
Zagreb
Datum i država obrane2017, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Računarstvo
Arhitektura računalnih sustava
Univerzalna decimalna klasifikacija
(UDC)		621.3 - Elektrotehnika
Sažetak
The Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) technology, as an example of the low-cost BiCMOS (bipolar complementary metal oxide semiconductor) technology, is capable of meeting the requirements of the radio frequency integrated circuits (RFICs). The suitability of the HCBT technology for the RFIC is demonstrated by the mixer and divider design, highlighting the HCBT as the low-cost and low-power solution with the competitive electrical characteristics. The double-balanced downconversion active mixer, as an example of RF front-end circuit, is designed. The fabricated high-linearity mixers (e.g., peak IIP3 and conversion gain of 30.3 dBm and 6.0 dB are measured for the 900 MHz input, respectively) have characteristics comparable to the characteristics of the commercial mixers targeted for the wireless communication circuits and overall wireless infrastructure. The static digital and analog dynamic divide-by-two frequency dividers, as the simple circuits, are designed demonstrating the HCBT suitability for the frequency range up to 35 GHz. In order to optimize the HCBT technology, the impact of the several technological parameters on the electrical characteristics and circuit performance is investigated. The measurement setup for both the on-wafer and packaged HCBT circuit verification is developed. The HCBT technology reliability is analyzed by employing the reverse-bias emitter-base and mixed-mode stress tests. The degradation mechanisms are investigated by the measurements and simulations. The different damage locations and carrier type responsible for the degradation under both stress tests are identified giving the technological guidelines for the HCBT reliability improvement.
Sažetak (hrvatski)
Projektiranjem sklopova frekvencijskih mješala i djelila pokazana je prikladnost tehnologije bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje (HCBT) za projektiranje radiofrekvencijskih integriranih sklopova. Demonstrirano je dvostruko balansno aktivno mješalo s translacijom u niže frekvencijsko područje. Ostvarene karakteristike mješala, popust mjere za linearnost IIP3=30.3 dBm i dobitka konverzije CG=6.0 dB, za frekvenciju ulaznog signala od 0.9 GHz, usporedive su s karakteristikama komercijalnih mješala. Projektirana djelila, digitalno statičko i analogno dinamičko s faktorima dijeljenja dva, pokazuju mogućnost rada HCBT-a na frekvencijama do 35 GHz. S ciljem optimizacije HCBT tehnologije, istražen je utjecaj pojedinih tehnoloških parametara na električne karakteristike i karakteristike sklopova. Pouzdanost HCBT tehnologije analizirana je primjenom stresa reverzno polariziranog spoja baza-emiter i mixed-mode stresa. Mjerenjima i simulacijama istraženi su mehanizmi degradacije. Utvrđene su različite lokacije oštećenja i tip nosilaca odgovornih za degradaciju tijekom oba stres testa, što daje smjernice za povećanje pouzdanosti HCBT tehnologije.Znanstveni doprinosi:1. Projektiranje, procesiranje i karakterizacija sklopova frekvencijskih mješala i djelila za primjene u bežičnim komunikacijama u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje (HCBT).2. Procjena utjecaja kritičnih tehnoloških koraka na karakteristike HCBT elemenata i sklopova.3. Određivanje fizikalnih mehanizama degradacije električkih karakteristika HCBT-a mjerenjima i simulacijama primjenom stresnih testova.4. Optimizacija tehnoloških parametara HCBT-a za poboljšanje pouzdanosti i visokofrekvencijskih svojstava sklopova.
Ključne riječi
Ključne riječi (hrvatski)
Jezikengleski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:980460
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i računarstvo
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: poslijediplomski doktorski
Akademski / stručni naziv: Doktor znanosti elektrotehnike i računarstva (dr.sc.)
Vrsta resursaTekst
Opseg159 str. ; 30 cm.
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2019-04-05 15:15:06