prikaz prve stranice dokumenta Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona
Rad nije dostupan
diplomski rad
Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2019. urn:nbn:hr:168:599625
Petrina, Tina
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Petrina, T. (2019). Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625

Petrina, Tina. "Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2019. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625

Petrina, Tina. "Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2019. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625

Petrina, T. (2019). 'Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 26.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625

Petrina T. Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2019 [pristupljeno 26.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625

T. Petrina, "Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2019. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:599625
Podaci o radu
NaslovModeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona
Naslov (engleski)Modeling of electrostatics and carrier transport in galium-nitride high electron mobility transistors
AutorTina Petrina
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaMirko Poljak (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2019-07-17, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
U ovom diplomskom radu naglasak je bio stavljen na strukturu tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona kao sve upotrebljivijem poluvodičkom elementu u visokofrekvencijskoj elektronici zadnjih godina. U prvom dijelu rada objasnila se fizika same strukture - kako nastaje AlGaN/GaN heterospoj, zašto dolazi do stvaranja kvantne jame i dvodimenzionalnog elektronskog plina i sl. Potom su se objasnili različiti mehanizmi raspršenja koji će se kasnije analizirati u radu. U idućem, drugom, dijelu rada napisane su sve korištene formule i konstante kao i kratke upute kroz kodove koji su se koristili za Schrödinger-Poissonov samokonzistentni simulator i za utjecaje različitih mehanizama raspršenja na pokretljivost elektrona zadane strukture. U zadnjem dijelu radu prikazali su se i objasnili rezultati gore navedenih simulacija. U Schrödinger-Poisson samokonzistentnom simulatoru prikazani su promjena kvantne jame, koncentracije nosilaca i energetskih razina s obzirom na promjenu napona na upravljačkoj elektrodi za single - gate strukturu i promjenu koncentracije aluminija u Al(x)Ga(1-x)N spoju sa sto na trideset posto.
Sažetak (engleski)
In this thesis focus was put on a structure of high electron mobility transistor as recently more used electronic device in high frequency electronics. In first part of thesis, the physics of structure was described - how AlGaN/GaN heterojunction is made, why it comes to creating of the quantum well and two dimensional electron gas, etc... Then are written different scattering mechanisms which will be later used in analyses. In next, second part of thesis, all used and later discussed formulas, constants as well as short descriptions through program codes of Schrödinger-Poisson's self-consistent simulator and influence of scattering mechanisms on electron mobility are mentioned. In last part of thesis, the results of above mentioned simulations are showed and analysed. In Schrödinger-Poisson's self-consistent simulator, change of quantum well, carrier concentration and energy levels are showed according to gate voltage change for a single gate structure as well as aluminium concentration change from a hundred to thirty percent in Al(x)Ga(1-x)N compound.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:599625
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2020-01-07 21:18:45