prikaz prve stranice dokumenta Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu
Rad nije dostupan
disertacija
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2008. urn:nbn:hr:168:500449
Sviličić, Boris
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Sviličić, B. (2008). Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu (Disertacija). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449

Sviličić, Boris. "Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2008. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449

Sviličić, Boris. "Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2008. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449

Sviličić, B. (2008). 'Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 28.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449

Sviličić B. Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2008 [pristupljeno 28.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449

B. Sviličić, "Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2008. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:500449
Podaci o radu
NaslovModeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu
Naslov (engleski)Modelling and optimization of the vertical fully-depleted silicon-on-nothing MOSFET
AutorBoris Sviličić
MentorPetar Biljanović (mentor)
MentorSlavko Amon (komentor)
VIAF: 306151014
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (član povjerenstva)
Član povjerenstvaPetar Biljanović (član povjerenstva)
Član povjerenstvaSlavko Amon (član povjerenstva)
VIAF: 306151014
Član povjerenstvaMile Ivanda (član povjerenstva)
Član povjerenstvaJulijana Divković-Pukšec (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
(Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave)
Zagreb
Datum i država obrane2008-05-14, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Elektronika
Univerzalna decimalna klasifikacija
(UDC)		621.3 - Elektrotehnika
Sažetak
Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture modelirane su u svim područjima rada - akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničena pojedinih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture.
Sažetak (engleski)
The capacitance-voltage characteristics of the VFD SONFET are modeled in all operating conditions - accumulation, depletion and inversion. The VFD SONFET compact and 2D models for the critical subthreshold parameters are developed. The accuracy of the analytical models is verified by comparison to the numerical device simulator Medici, over a wide range of different device structures. Optimization of structure conducted on the basis of the detailed analysis of the technological parameters' influence. Compact and 2D models for the long channel and short channel structures are compared. The lateral SONFET compact model is compared to a VFD SONFET, and the advantages of vertical structures are pointed out.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:500449
Studijski programNaziv: Elektrotehnika
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: poslijediplomski znanstveni (doktorski)
Akademski / stručni naziv: doktor/doktorica znanosti, po-dručje tehničkih znanosti (dr. sc.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2020-05-16 09:53:33