prikaz prve stranice dokumenta Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora
Rad nije dostupan
diplomski rad
Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. urn:nbn:hr:168:912413
Marković, Lovro
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Institucijski repozitorij: Repozitorij FER-a

Citirajte ovaj rad

Marković, L. (2020). Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413

Marković, Lovro. "Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413

Marković, Lovro. "Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413

Marković, L. (2020). 'Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 23.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413

Marković L. Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2020 [pristupljeno 23.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413

L. Marković, "Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:912413
Podaci o radu
NaslovOptimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora
Naslov (engleski)Optimization of germanium fotodetector structures with an amorphous boron layer
AutorLovro Marković
MentorMirko Poljak (mentor)
Član povjerenstvaMirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (član povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2020-02-11, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Rad donosi analizu postojećih poluvodičkih tehnologija detekcije čestica i elektromagnetskog zračenja. Analizirane su karakteristike materijala pogodne za izgradnju specifičnih detektora (UV, IR, elektroni). Također, ispitane su i modelirane potencijalne barijere na granici metal/poluvodič te na heterospoju poluvodiča u TCAD simulacijskom softveru. Djelomično su okarakterizirana svojstva nanometarskog sloja amorfnog bora. Izgrađeni su 1D i 2D modeli diode s nanometarskim slojem amorfnog bora na površini (PureB) na siliciju i germaniju te je načinjena usporedba električkih karakteristika s karakteristikom silicijske/germanijske diode s dubokim i plitkim p+/n spojem. Formiranje graničnog sloja šupljina i potencijalne barijere na heterospojevima predloženi su kao moguće objašnjenje niskih iznosa gustoća struja zasićenja.
Sažetak (engleski)
Analysis of existing semiconductor detectors for particle and light detection was made. Properties of different materials relevant for specific purposes (IR, UV, electrons) were described. Physical models of metal-semiconductor and hetero-interfaces were explained and used for modeling of its electrical characteristics using TCAD simulation software. Properties of a few nanometers thin layer of amorphous boron were explained. Construction of 1D and 2D models of ultra-shallow junction diode on Si/Ge with amorphous boron surface layer was performed in order to make a comparison of PureB diodes' electrical characteristics with those of deep and shallow junction Si/Ge p+/n diodes. Formation of an interface hole layer (IHL) on heterojunction and heterojunction potential barriers were proposed as a possible explanation of low values of saturation current densities.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:912413
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-01-13 10:20:50