prikaz prve stranice dokumenta Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima
Pristup korisnicima matične ustanove
diplomski rad
Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima
Rijeka: Sveučilište u Rijeci, 2020. urn:nbn:hr:194:121906
Kovačević, Tea
Sveučilište u Rijeci
Fakultet za fiziku

Institucijski repozitorij: Repozitorij Fakulteta za fiziku Sveučilišta u Rijeci

Citirajte ovaj rad

Kovačević, T. (2020). Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima (Diplomski rad). Rijeka: Sveučilište u Rijeci. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906

Kovačević, Tea. "Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima." Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906

Kovačević, Tea. "Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima." Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906

Kovačević, T. (2020). 'Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima', Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, citirano: 29.04.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906

Kovačević T. Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima [Diplomski rad]. Rijeka: Sveučilište u Rijeci; 2020 [pristupljeno 29.04.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906

T. Kovačević, "Mjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima", Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, Rijeka, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:121906
Podaci o radu
NaslovMjerenje Hallovog efekta u tankim poluvodičkim filmovima
Naslov (engleski)Measurements of the Hall Effect in thin Semiconductor Films
AutorTea Kovačević
MentorAleš Omerzu (mentor)
Član povjerenstvaIvana Jelovica Badovinac (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaAleš Omerzu (član povjerenstva)
Član povjerenstvaRobert Peter (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Rijeci
(Fakultet za fiziku)
Rijeka
Datum i država obrane2020-09-23, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
U ovom radu provedeno je istraživanje na tankim filmovima bakra pripremljenim na podlozi od mikroskopskog stakla, a koji su naprašivani pomoću uređaja PESC II. Tanki slojevi bakrovog oksida dobiveni su termičkom oksidacijom na temperaturama od 200 °C do 400 °C u cijevnoj peći te su pripremljeni za optička i električna mjerenja. UV-VIS spektrofotometrom izmjerena je optička transmisija i koeficijent apsorpcije tankih filmova bakrovog oksida te je određena širina poluvodičkog zabranjenog pojasa. Pomoću strujno-naponske karakteristike izračunata je električna provodnost, otpornost i otpor, a mjerenjem Hallovog napona utvrđeno je da je Cu2O p-tip poluvodiča.
Sažetak (engleski)
In this paper, I present a study that was performed on thin copper films prepared on a microscope glass substrate, which were sputtered using a PESC II instrument. Thin layers of copper oxide were obtained by thermal oxidation at temperatures from 200 °C to 400 °C in a tube furnace and were prepared for optical and electrical measurements. The optical transmission and the absorption coefficient of thin films made of copper oxide were measured with a UV-VIS spectrophotometer, and the width of the semiconductor band gap was determined. The electrical conductivity, resistance and resistivity were calculated from the current-voltage characteristic, and the Hall voltage determined that Cu2O is a p-type semiconductor.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:194:121906
Studijski programNaziv: Inženjerstvo i fizika materijala
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjerstva i fizike materijala (mag. phys. et techn.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaPristup korisnicima matične ustanove
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2020-10-16 11:17:13