prikaz prve stranice dokumenta Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors
  Preuzmi
PDF 7.5 MB
diplomski rad
Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2018. urn:nbn:hr:217:370582
Petrinec, Ana
Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
Fizički odsjek

Institucijski repozitorij: Repozitorij Prirodoslovno-matematičkog fakulteta

Citirajte ovaj rad

Petrinec, A. (2018). Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582

Petrinec, Ana. "Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582

Petrinec, Ana. "Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582

Petrinec, A. (2018). 'Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, citirano: 24.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582

Petrinec A. Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet; 2018 [pristupljeno 24.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582

A. Petrinec, "Transient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, 2018. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:370582
Podaci o radu
NaslovTransient current technique (TCT) characterization of high-energy photon irradiated silicon detectors
Naslov (hrvatski)Karakterizacija silicijskih detektora ozračenih visokoenergetskim fotonima metodom tranzijentne struje (TCT)
AutorAna Petrinec
MentorJaakko Juhana Harkonen (mentor)
MentorMihael Makek (mentor)
Član povjerenstvaMihael Makek (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaJaakko Juhana Harkonen (član povjerenstva)
Član povjerenstvaNils Paar (član povjerenstva)
Član povjerenstvaDamir Bosnar (član povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Marketin (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
(Fizički odsjek)
Zagreb
Datum i država obrane2018-08-28, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
Incident radiation delivers energy to matter through different interactions. This can disrupt regular crystal structure of a semiconductor detector, which degrades its properties. The purpose of this thesis is to study the effect of gamma radiation on the properties of silicon detectors. Samples used are n- and p-type diodes made of Czochralski silicon. They were produced in Finnish Center for Micro- and Nanotechnology Micronova. Transient Current Technique (TCT) with red and infrared laser (wavelengths 660 and 1064 nm) is used to characterize the detectors. From recorded transients the information can be obtained about collected charge, full depletion voltage, electric field distribution and sign of the space charge, to name a few. With increasing radiation dose, detector may experience charge loss, full depletion voltage changes and an increase in the leakage current. For maximum dose at which detectors were irradiated (187 kGy), the only observable effect was increase of the leakage current. N-type detectors proved to be more resilient to gamma irradiation than p-type one.
Sažetak (hrvatski)
Kroz različite interakcije upadno zračenje materiji predaje energiju. To može oštetiti pravilnu kristalnu strukturu čime se narušavaju svojstva poluvodičkog detektora. Svrha je ovog rada proučavanje utjecaja ozračivanja visokoenergijskim gama zrakama na svojstva silicijskih detektora. Korišteni uzorci su diode n- i p-tipa napravljene od Czochralskog silicija u finskom centru za mikro- i nanotehnologiju Micronova. Za karakterizaciju detektora korištena je metoda tranzijentne struje (TCT) s crvenim i infracrvenim laserom (valnih duljina 660 i 1064 nm). Iz dobivenih signala mogu se, me-du ostalim, dobiti informacije o prikupljenom naboju, radnom naponu, raspodjeli električnog polja unutar volumena detektora i predznaku prostornog naboja u zoni osiromašenja. S porastom primljene doze zračenja detektoru se mijenja napon potpunog osiromašenja, gubi naboj te dolazi do porasta struje kroz detektor u nepropusnoj polarizaciji. Na maksimalnoj dozi kojom su detektori ozračeni (187 kGy) jedina sa sigurnošću uočena posljedica bila je porast struje u nepropusnoj polarizaciji. Detektori n-tipa pokazali su se otpornijima na gama zračenje od detektora p-tipa.
Ključne riječi
Ključne riječi (hrvatski)
Jezikengleski
URN:NBNurn:nbn:hr:217:370582
Studijski programNaziv: Fizika; smjerovi: istraživački
Smjer: istraživački
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: integrirani preddiplomski i diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra fizike (mag. phys.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2018-11-20 16:35:34