prikaz prve stranice dokumenta Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom
  Preuzmi
PDF 1.44 MB
diplomski rad
Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2020. urn:nbn:hr:217:618156
Bakrač, Luka
Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
Fizički odsjek

Institucijski repozitorij: Repozitorij Prirodoslovno-matematičkog fakulteta

Citirajte ovaj rad

Bakrač, L. (2020). Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156

Bakrač, Luka. "Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156

Bakrač, Luka. "Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156

Bakrač, L. (2020). 'Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, citirano: 29.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156

Bakrač L. Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet; 2020 [pristupljeno 29.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156

L. Bakrač, "Kapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:618156
Podaci o radu
NaslovKapacitivna tranzijentna spektroskopija za proučavanje defekata uvedenih ionskom implantacijom
Naslov (engleski)Capacitance transient spectroscopy study of defects introduced by ion implantation
AutorLuka Bakrač
MentorIvana Capan (mentor)
MentorIvan Kokanović (komentor)
Član povjerenstvaIvan Kokanović (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaIvana Capan (član povjerenstva)
Član povjerenstvaIvica Smolić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaEmil Tafra (član povjerenstva)
Član povjerenstvaHrvoje Buljan (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
(Fizički odsjek)
Zagreb
Datum i država obrane2020-09-30, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
U ovom radu proučena je otpornost silicij karbida na uvođenje defekata ozračivanjem ionima. Za karakterizaciju su korištene Schottky diode napravljene na n-tipu 4H politipa silicij karbida (4H-SiC). Diode su karakterizirane strujno-naponskim i kapacitivno-naponskim mjerenjima, a duboki nivoi karakterizirani su tranzijentnom spektroskopijom dubokih nivoa (DLTS). Proučen je utjecaj ozračivanja dioda ionima helija, ugljika i kisika različitih doza i energija. Kod svih proučenih doza i vrsta iona nisu zapažene promjene strujno-naponske karakteristike, dok kapacitivno-naponske karakteristike pokazuju kompenzaciju slobodnih nosioca naboja uzrokovanu uvođenjem dubokih nivoa. Kod svih dioda uočen je duboki nivo Z1/2 koji odgovara defektu vakancije ugljika što znači da je prisutan i prije ozračivanja. Ozračivanjem je uočena pojava dva dodatna duboka nivoa EH1 i EH3 koji odgovaraju različitim prijelazima stanja defekta vakancije silicija.
Sažetak (engleski)
This work presents the influence of ion radiation on the introduction of defects in silicon carbide. Schottky diodes made on n-type 4H polytype silicon carbide (4H-SiC) were used for the characterization. Diodes were characterized by current-voltage and capacitance voltage measurements. Deep levels were characterized by deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of irradiation of diodes with helium, carbon, and oxygen ions of different doses and energies was studied. No changes in current-voltage characteristics were observed at all studied doses and ion types, while capacitance-voltage characteristics showed compensation of free charge carriers caused by the introduction of deep levels. In all diodes, a deep level Z1/2 was observed, which corresponds to the defect of carbon vacancy, which means that it is present even before irradiation. Irradiation introduced two additional deep levels - EH1 and EH3 corresponding to different state transitions of the silicon vacancy defect.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:217:618156
Studijski programNaziv: Fizika; smjerovi: istraživački
Smjer: istraživački
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: integrirani preddiplomski i diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra fizike (mag. phys.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2021-01-19 08:33:16